型号：K4B2G1646E-BIKO
　　制造商：Samsung
　　存储器类型：DDR3 SDRAM
　　容量：2 Gb
　　组织结构：128M x 16
　　电压：1.5V ±0.075V
　　工作温度：0°C ~ +85°C
　　封装：FBGA，90-ball
　　数据速率：800 Mbps（DDR3-800）
　　时钟频率：400 MHz
　　引脚数量：90
　　接口类型：并行 DDR3
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　突发长度：BL=8（固定或通过模式寄存器设置）
　　CAS等待周期（CL）：5, 6, 7 可配置
　　封装尺寸：约 9mm x 13mm x 1.0mm

K4B2G1646E-BIKO 具备多项关键特性，使其成为广泛应用中的可靠内存选择。首先，该芯片基于先进的CMOS工艺制造，结合了高集成度与低功耗设计，在保证高性能的同时有效降低系统能耗，尤其适合长时间运行且散热受限的应用环境。其DDR3架构支持双倍数据速率传输，即在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而实现高达800Mbps的数据速率，显著提升了内存带宽效率。这种高速特性对于图像处理、视频流传输及多任务操作系统至关重要。
　　其次，该器件支持多种电源管理功能，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-Refresh）模式。在自动刷新模式下，控制器定期发出刷新命令以维持数据完整性；而在自刷新模式下，芯片可在系统进入低功耗状态时自主完成刷新操作，无需外部时钟参与，进一步节省电力消耗。这对于便携式设备或待机功耗敏感型应用具有重要意义。
　　再者，K4B2G1646E-BIKO 提供灵活的读写控制机制，支持可编程的CAS延迟（CL = 5/6/7）、突发长度（默认BL=8）和突发类型（顺序或交错）。这些参数可通过模式寄存器（Mode Register）进行配置，使用户可根据实际系统需求优化性能表现。此外，芯片内部集成了温度传感器和纠错逻辑，有助于提高长期运行的稳定性和抗干扰能力。
　　最后，该芯片采用紧凑型90-ball FBGA封装，引脚间距小、体积轻薄，有利于在空间受限的PCB布局中实现高密度布线。同时，其符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。综合来看，K4B2G1646E-BIKO 凭借其高速、低功耗、高可靠性和良好兼容性，成为众多中高端电子系统中理想的内存解决方案。

K4B2G1646E-BIKO 主要应用于需要中等容量、高性能DDR3内存支持的各类电子系统。常见用途包括但不限于：网络通信设备如路由器、交换机和基站模块，其中该芯片用于缓存数据包和运行嵌入式操作系统；工业自动化控制系统，例如PLC、HMI人机界面和工控机，利用其稳定性和宽温适应能力保障连续运行；消费类电子产品如智能电视、机顶盒和多媒体播放器，借助其较高的数据吞吐能力实现流畅的音视频解码与图形渲染；此外，也广泛用于医疗仪器、测试测量设备和汽车电子模块中，作为主存储器或协处理器缓冲区使用。
　　在服务器和存储设备领域，虽然单颗容量相对较小，但可通过多片并联方式构建更大容量的内存阵列，适用于入门级NAS或边缘计算节点。由于其支持标准JEDEC协议，易于与主流处理器平台（如ARM、PowerPC、x86嵌入式SoC）对接，因此在定制化主板设计中具备良好的兼容性和可扩展性。同时，该芯片也被用于一些军事和航空航天领域的非极端环境设备中，因其具备较长的产品生命周期和稳定的供货渠道，有利于产品的长期维护和技术延续。总体而言，K4B2G1646E-BIKO 适用于对成本、性能与可靠性有均衡要求的中端应用场景。

K4B2G1646F-BCK0
　　MT41K128M16JT-125K
　　IS43TR16256A-8BLI