K4B2G1646E-BCH9000 时间：2025/11/12 11:46:52 阅读：10

K4B2G1646E-BCH9 是由三星（Samsung）生产的一款高性能DDR3 SDRAM芯片，属于其GDDR3系列存储器产品线中的一员。该器件主要面向高带宽、低功耗需求的应用场景，例如图形处理单元（GPU）、高端显卡、嵌入式视觉系统以及需要快速帧缓冲的显示设备。这款芯片采用先进的FBGA封装技术，具备较高的存储密度和数据传输速率，适用于对实时图像渲染性能要求严苛的系统设计。K4B2G1646E-BCH9工作在标准的1.5V电压下（支持降低至1.35V的节能模式），符合JEDEC DDR3规范，并集成了多种电源管理功能以优化能效表现。其命名规则中，“K4B”代表三星DDR3系列，“2G”表示总容量为2Gb，“16”指数据总线宽度为16位，“46E”标识特定的产品版本或工艺代际，“BCH9”则可能与内部纠错码（ECC）配置或批次相关。该芯片通常以多颗并联方式部署于显存模块中，以实现更高位宽（如128位或256位）的数据吞吐能力。

参数

型号：K4B2G1646E-BCH9
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　组织结构：128M x 16
　　容量：2 Gb (256 MB)
　　供电电压：1.5V / 1.35V (低电压版)
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C
　　封装形式：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：96-ball
　　数据速率：最高可达2133 Mbps（DDR3-2133）
　　时钟频率：1066 MHz
　　输入/输出电平：SSTL_15
　　刷新模式：自动与自刷新
　　突发长度：支持BL8和BC4模式
　　CAS延迟（CL）：9, 10, 11可选
　　内部Bank数量：8
　　是否支持ZQ校准：是
　　是否支持ODT（片上终端）：是

特性

该芯片具备高带宽架构设计，每个I/O引脚可在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，实现了双倍数据速率（DDR），从而显著提升有效数据传输率至2133 MT/s，满足现代图形处理器对高速显存访问的需求。其16位宽的数据接口允许单颗芯片提供较大的数据吞出量，在多芯片堆叠或并行配置下可轻松构建64位乃至更高位宽的内存子系统。内部采用8个独立Bank的阵列结构，支持交错式页面访问，大幅降低了连续读写操作之间的等待时间，提升了整体访问效率。
　　此外，K4B2G1646E-BCH9集成了多项节能机制，包括动态电源切换、部分阵列自刷新（PASR）、温度补偿自刷新（TCSR）以及深度掉电模式（Deep Power Down Mode），能够在待机或轻负载状态下显著降低功耗，延长移动设备电池寿命。器件还支持片上终端（ODT）功能，可在不增加外部电阻的情况下实现信号完整性优化，减少PCB布线复杂度和噪声干扰。
　　为了确保长期运行的稳定性，该芯片内置了ZQ校准电路，定期调整输出驱动阻抗和终端匹配值，以应对工艺、电压和温度（PVT）变化带来的影响。同时支持可编程CAS延迟、突发长度和突发类型选择，增强了系统设计灵活性。其FBGA封装具有良好的热传导性能和机械可靠性，适合高密度贴装环境，并通过了严格的工业级可靠性测试，确保在高温高湿等恶劣条件下稳定运行。

应用

广泛应用于独立显卡中的显存模块，作为GPU的高速缓存用于存储纹理、帧缓冲和顶点数据；也可用于嵌入式视觉系统、工业相机、数字标牌控制器、高端游戏机以及需要高分辨率视频处理的多媒体设备。由于其高带宽和低延迟特性，适用于4K视频解码、实时图像合成及虚拟现实（VR）头显等对图形性能要求极高的场合。此外，在某些网络设备中用作包缓冲存储器，或者在测试测量仪器中作为高速采样数据暂存单元。该芯片也常见于需要扩展内存带宽的FPGA加速卡和AI推理边缘设备中，配合专用内存控制器发挥最佳性能。