时间：2025/9/1 18:07:49
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K4B2G1646D-BCKO 是三星（Samsung）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储解决方案的一部分。这款芯片采用的是DDR3 SDRAM（双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器）技术，具有高速数据传输能力，适用于需要高性能内存的电子设备。K4B2G1646D-BCKO的封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），有助于提高封装密度和信号完整性。
容量：2Gbit
组织结构：16位×16M Word
工作电压：1.35V（低电压DDR3，LVDDR3）
最大工作频率：800MHz
数据速率：1600Mbps
封装类型：FBGA
封装尺寸：9mm x 13mm
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：JEDEC标准DDR3接口
刷新周期：64ms
工作模式：支持自刷新和深度掉电模式
K4B2G1646D-BCKO DDR3 SDRAM芯片具备多项先进的特性，以满足高性能计算和存储需求。首先，该芯片采用低电压设计（1.35V），有效降低功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。其次，该芯片支持高达1600Mbps的数据速率，提供高速数据访问能力，能够显著提升系统性能。此外，K4B2G1646D-BCKO支持自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），可在设备处于低功耗状态时进一步降低能耗，延长电池寿命。其FBGA封装形式不仅节省空间，还能改善散热性能和电气性能，确保在高频率下的稳定性。此外，该芯片符合JEDEC标准，确保了与其他DDR3系统的兼容性，便于设计和集成。
K4B2G1646D-BCKO适用于多种高性能计算和存储应用，包括但不限于：嵌入式系统、工业计算机、网络设备、图形处理单元（GPU）、高端消费电子产品（如智能电视、游戏主机）、移动设备（如平板电脑和智能手机）以及服务器和存储设备。由于其低功耗和高带宽特性，特别适合需要高效能和长续航的应用场景。
K4B2G1646D-BCK0（同款不同批次）、K4B2G1646C-BCK0、MT48LC16M16A2B4-6A、CYMT48LC16M16A2B4-6A
