型号：K4B2G16460-BCKO
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3 SDRAM
　　容量：2Gb (256MB)
　　组织结构：16M x 16 x 8 banks
　　电压：1.5V ±0.075V / 1.35V Low Voltage Support
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C（商业级）
　　最大时钟频率：800MHz（DDR3-1600）
　　数据速率：1600 MT/s
　　预取架构：8n-Prefetch
　　接口类型：SSTL_15
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.9mm（近似值）
　　工艺技术：基于先进CMOS工艺制造

K4B2G16460-BCKO具备多项先进的技术特性，使其在同类DDR3内存芯片中表现出色。首先，该芯片采用了8n-prefetch架构，这是DDR3标准的核心特征之一，能够在每个时钟周期内预取8位数据，从而显著提升数据吞吐能力。结合差分时钟输入（CK/CK#）和源同步数据选通（DQS/DQS#），确保了在高频操作下的精确数据捕获与时序控制。其次，该器件支持多种低功耗模式，包括自动刷新、自刷新以及温度补偿自刷新（TCSR）。TCSR功能可根据芯片内部温度动态调整刷新速率，在高温环境下增加刷新频率以保持数据完整性，而在低温时减少刷新次数以节约能耗，这对延长电池供电设备的续航时间至关重要。此外，K4B2G16460-BCKO集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用内部终端匹配，有效抑制信号反射，提高信号完整性，尤其是在高密度布线或多负载拓扑结构中表现优异。
　　该芯片还支持部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）功能，允许用户仅对正在使用的内存区域进行刷新，而非整个存储阵列，进一步降低了待机状态下的功耗。其FBGA-96封装具有紧凑的物理尺寸和优良的散热性能，适合高集成度PCB布局。所有输入/输出均采用SSTL_15标准，兼容主流DDR3内存控制器，并支持ZQ校准功能，通过外部参考电阻实现输出驱动强度和ODT的长期精度校正，保障长时间运行的稳定性。最后，该器件经过严格的可靠性测试，符合工业标准的质量管控流程，适用于各种严苛环境下的长期运行需求。

K4B2G16460-BCKO主要应用于需要高性能、低功耗和小尺寸内存解决方案的电子设备中。其典型应用场景包括中高端智能手机和平板电脑，作为主内存或图形缓存使用，支持流畅的多任务处理与高清视频播放。在网络通信领域，该芯片可用于路由器、交换机和基站设备中的数据缓冲区，提供快速的数据访问能力以应对高流量负载。在消费类电子产品如智能电视、机顶盒和游戏终端中，它能够支撑复杂操作系统和多媒体应用的运行需求。此外，由于其稳定的电气性能和宽温工作能力，也被广泛用于工业自动化控制系统、医疗仪器、车载信息娱乐系统以及嵌入式计算平台（如单板计算机和边缘AI设备）。在这些应用中，K4B2G16460-BCKO不仅提供了必要的内存带宽，还能在有限的空间和电源预算下维持高效运行。得益于其JEDEC标准化设计，该芯片可无缝集成到支持DDR3接口的SoC（系统级芯片）平台中，例如基于ARM架构的应用处理器或FPGA配套内存系统，极大地简化了硬件开发流程并缩短产品上市周期。

MT41K256M16XX-15 IT:B
　　EM63A165TS-6H