时间：2025/4/29 19:00:23
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K4B2G0846Q-BCKO 是由三星（Samsung）生产的一款 DDR3L 内存颗粒芯片。该芯片采用先进的制程工艺制造，支持低功耗的 1.35V 供电电压，广泛应用于笔记本电脑、平板设备以及其他需要高性能和低功耗内存解决方案的领域。该芯片属于大容量 DRAM 芯片，具备高数据传输速率和稳定性。
DDR3L 技术的引入使得该芯片能够在保证性能的同时显著降低功耗，从而延长电池驱动设备的续航时间。
类型：DRAM
子类型：DDR3L
容量：2Gb (256M x 8)
核心组织：8-bank
工作电压：1.35V
I/O 电压：1.35V
数据速率：1600Mbps
封装类型：BGA 78-ball
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚间距：1.0mm
K4B2G0846Q-BCKO 提供了多种关键特性以满足现代电子设备的需求。首先，其 DDR3L 架构支持高达 1600 Mbps 的数据传输速率，确保快速的数据交换能力。
其次，该芯片采用了 1.35V 的低功耗设计，相比传统的 DDR3 标准（1.5V），能够有效减少能耗，特别适合对功耗敏感的应用场景。
此外，这款芯片具有较高的稳定性和可靠性，在各种温度条件下都能保持一致的性能表现。同时，它支持突发长度为 8 和 CAS 延迟选项（CL=11），进一步优化了读写效率。最后，BGA 78-ball 封装形式使其易于集成到小型化设计中。
K4B2G0846Q-BCKO 主要用于需要高性能内存的电子设备中，例如：
- 笔记本电脑和超极本
- 平板电脑和其他移动设备
- 网络路由器及交换机
- 工业控制设备
- 医疗仪器
- 嵌入式系统
这些设备通常要求内存芯片在有限的空间内提供高效的性能和低功耗支持，而 K4B2G0846Q-BCKO 正好满足这些需求。
K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846Q-BCK0
