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K4B1G1646E-HCH9 发布时间 时间:2025/5/8 11:33:11 查看 阅读:36

K4B1G1646E-HCH9是三星(Samsung)推出的一款DDR3L SDRAM内存芯片,主要应用于需要低功耗的移动设备和嵌入式系统。该芯片采用先进的制程工艺制造,支持低电压操作以延长电池续航时间,同时具备高带宽和稳定性,广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。
  DDR3L技术通过降低工作电压(1.35V),相比标准DDR3(1.5V)可以有效减少功耗,并且保持与标准DDR3相同的性能表现。

参数

容量:1Gb (128Mb x 8)
  类型:DDR3L SDRAM
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  封装形式:BGA
  引脚数:78-ball
  组织结构:8-bank architecture
  工作温度:-40°C to +85°C
  I/O标准: SSTL 1.35

特性

K4B1G1646E-HCH9具有以下主要特性:
  1. 支持DDR3L标准,提供高达1600Mbps的数据传输速率,满足现代移动设备对高速数据处理的需求。
  2. 采用1.35V低功耗设计,显著降低能耗,非常适合电池供电的设备。
  3. 高密度存储能力,在单颗芯片内提供1Gb的存储容量,有助于减少PCB空间占用。
  4. 内置自动刷新和自刷新功能,确保数据完整性和低功耗待机模式。
  5. 支持突发长度为4或8,能够灵活适应不同应用场景的需求。
  6. 具备ODT(On-Die Termination)功能,优化信号完整性并提高系统可靠性。
  7. 工作温度范围广,能够在-40°C至+85°C的环境下稳定运行,适合各种环境条件下的应用。

应用

K4B1G1646E-HCH9适用于多种低功耗高性能的应用场景,包括但不限于:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备的主内存。
  2. 嵌入式系统中的图形处理和多媒体应用。
  3. 可穿戴设备以及其他需要紧凑设计和高效能的电子产品。
  4. 网络通信设备中的缓存和数据缓冲。
  5. 医疗设备和工业自动化控制领域中的数据存储组件。

替代型号

K4B1G1646D-HYH7, K4B1G1646Q-HYH7

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