时间：2025/5/8 11:33:11
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K4B1G1646E-HCH9是三星（Samsung）推出的一款DDR3L SDRAM内存芯片，主要应用于需要低功耗的移动设备和嵌入式系统。该芯片采用先进的制程工艺制造，支持低电压操作以延长电池续航时间，同时具备高带宽和稳定性，广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。
DDR3L技术通过降低工作电压（1.35V），相比标准DDR3（1.5V）可以有效减少功耗，并且保持与标准DDR3相同的性能表现。
容量：1Gb (128Mb x 8)
类型：DDR3L SDRAM
工作电压：1.35V
数据速率：1600Mbps
封装形式：BGA
引脚数：78-ball
组织结构：8-bank architecture
工作温度：-40°C to +85°C
I/O标准： SSTL 1.35
K4B1G1646E-HCH9具有以下主要特性：
1. 支持DDR3L标准，提供高达1600Mbps的数据传输速率，满足现代移动设备对高速数据处理的需求。
2. 采用1.35V低功耗设计，显著降低能耗，非常适合电池供电的设备。
3. 高密度存储能力，在单颗芯片内提供1Gb的存储容量，有助于减少PCB空间占用。
4. 内置自动刷新和自刷新功能，确保数据完整性和低功耗待机模式。
5. 支持突发长度为4或8，能够灵活适应不同应用场景的需求。
6. 具备ODT（On-Die Termination）功能，优化信号完整性并提高系统可靠性。
7. 工作温度范围广，能够在-40°C至+85°C的环境下稳定运行，适合各种环境条件下的应用。
K4B1G1646E-HCH9适用于多种低功耗高性能的应用场景，包括但不限于：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备的主内存。
2. 嵌入式系统中的图形处理和多媒体应用。
3. 可穿戴设备以及其他需要紧凑设计和高效能的电子产品。
4. 网络通信设备中的缓存和数据缓冲。
5. 医疗设备和工业自动化控制领域中的数据存储组件。
K4B1G1646D-HYH7, K4B1G1646Q-HYH7
