时间：2025/5/13 11:02:02
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FQPF5N60是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高电压应用领域。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和高击穿电压的特点，能够显著提高效率并减少功率损耗。
该MOSFET的工作电压高达600V，适用于需要较高耐压能力的场景，同时其快速开关性能也使其在高频电路中表现优异。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：1.8Ω
总功耗：115W
结温范围：-55℃至175℃
FQPF5N60的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻（典型值为1.8Ω），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用，减少开关损耗。
4. TO-220封装提供良好的散热性能。
5. 能够承受较高的瞬态电压，增强器件的鲁棒性。
6. 宽工作温度范围（-55℃至175℃），适应各种恶劣环境条件。
FQPF5N60适用于以下应用场景：
1. 开关电源设计中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
4. 各类工业设备中的负载切换。
5. 照明系统的电子镇流器和LED驱动器。
6. 电动车和电池管理系统中的高压切换元件。
IRF540N, STP5NK60Z, FQP17N60
