型号：K4A8G085WC-BCRC
　　制造商：Samsung
　　存储类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：8Gb（1GB）
　　位宽：32位
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：80-pin
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V，VPP = 1.8V
　　最大数据速率：16 Gbps per pin
　　接口类型：差分时钟输入，单端数据选通
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　时钟频率：800MHz（有效频率1600MHz，双倍数据率）
　　带宽（单芯片）：51.2 GB/s
　　组织结构：256Mb x32（四bank组架构）
　　预取架构：16n预取
　　数据掩码支持：DQM功能用于写入屏蔽
　　掉电模式：支持低功耗待机状态

K4A8G085WC-BCRC 具备卓越的高速数据传输能力，其核心特性之一是支持高达16 Gbps的每引脚数据速率，使其成为当前市场上最高速度等级的GDDR6芯片之一。这一性能得益于其优化的内部架构设计，包括16n预取机制和四bank组（Bank Group）结构，能够实现更高的并发访问效率和更低的延迟响应。芯片采用差分时钟输入（CK_t/CK_c）和源同步数据选通（WCK_t/WCK_c），有效提升信号完整性和抗干扰能力，确保在高频下稳定运行。
　　该器件支持两种主要的工作电压域：核心与I/O电压（VDD/VDDQ）为1.35V，而编程电压（VPP）则为1.8V，这种双电压设计有助于在保证性能的同时降低整体功耗。此外，K4A8G085WC-BCRC 内置多种低功耗管理模式，如自动刷新退出后的自刷新模式、深度掉电模式等，可根据系统负载动态调节能耗，特别适合对能效比要求极高的AI训练卡和游戏显卡应用。
　　封装方面，该芯片采用80-pin FBGA小型化封装，具有良好的散热性能和空间利用率，便于在多颗堆叠或并排布局的高密度显存模组中使用。其电气特性经过严格优化，支持阻抗匹配、去加重和均衡技术，以应对高速信号在PCB走线中的衰减问题。同时，该芯片具备写入屏蔽（Write DQM）功能，允许精确控制数据写入时机，避免不必要的数据冲突。
　　为了保障长期可靠运行，K4A8G085WC-BCRC 还集成了温度传感器和错误检测机制，并支持通过外部控制器进行实时监控与调节。其设计完全符合JEDEC JESD251等GDDR6标准规范，确保与主流GPU厂商（如NVIDIA、AMD）的图形处理器无缝对接。综合来看，这款芯片代表了当前高端图形内存的技术前沿水平，是构建下一代高性能计算系统的理想选择。

K4A8G085WC-BCRC 主要应用于需要极高内存带宽和低延迟响应的场景，典型用途包括高端独立显卡（如NVIDIA GeForce RTX系列、AMD Radeon RX系列）、数据中心GPU加速卡（如NVIDIA A100、H100配套显存）、人工智能推理与训练模块、高性能计算服务器以及专业级图形工作站。由于其出色的带宽表现（单芯片可达51.2 GB/s），多颗该芯片常被集成于GPU周围，组成总带宽超过1TB/s的显存子系统，以支撑复杂的3D渲染、光线追踪、深度学习矩阵运算等任务。
　　此外，该芯片也适用于某些高端FPGA加速平台和网络处理设备，尤其是在需要大容量高速缓存的应用中表现出色。例如，在5G基站中的信号处理单元或边缘计算节点中，K4A8G085WC-BCRC 可作为临时帧缓冲或数据队列存储介质，提升数据吞吐效率。其稳定的高温工作能力和紧凑封装还使其适用于车载高性能计算平台（如智能驾驶域控制器）中的图形显示子系统。
　　在消费电子领域，部分旗舰级游戏显卡已开始采用基于此类GDDR6颗粒的显存方案，显著提升了纹理加载速度、帧率稳定性以及多屏输出能力。同时，由于其低功耗特性，在笔记本电脑的移动版GPU中也有广泛应用潜力，有助于延长电池续航时间而不牺牲图形性能。总体而言，K4A8G085WC-BCRC 是现代高性能图形与计算系统不可或缺的关键组件之一。

K4A8G085WC-BCTD
　　K4Z8G1GCBC-BCRM
　　MT60B8G8H-16W:
　　H56G8H24AFR