类型: MOSFET
　　晶体管类型: N 沟道
　　最大漏源电压 (Vds): 200V
　　最大漏极电流 (Id): 140A
　　导通电阻 (Rds(on)): 20mΩ
　　封装类型: TO-247
　　工作温度范围: -55°C ~ +175°C
　　栅极电压 (Vgs): ±20V
　　漏源击穿电压 (BVDSS): 200V
　　功率耗散 (Ptot): 300W

IXFK140N20P MOSFET 提供了低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件具有出色的热性能，得益于其封装设计，能够有效地将热量从芯片传导出去，从而确保在高负载条件下也能保持稳定的工作状态。此外，该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，增强了器件在苛刻工作环境中的可靠性。其高电流承载能力和优异的耐用性使其成为工业电机控制、电源转换器和电动汽车充电系统等应用的理想选择。
　　此外，IXFK140N20P 还具有快速开关特性，可以减少开关损耗，提高开关频率，适用于需要高频操作的电路。由于其栅极驱动要求较低，因此能够与多种驱动电路兼容，简化了驱动电路的设计。该器件的耐久性和可靠性也使其能够在恶劣的工作环境中长期稳定运行，降低了维护频率和成本。

IXFK140N20P 主要应用于高功率开关电路中，包括但不限于工业电机驱动器、电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器）、不间断电源（UPS）、电池充电系统以及电动汽车相关的电力电子设备。此外，该器件也适用于需要高效能和高可靠性的太阳能逆变器、焊接设备以及其他工业自动化控制系统。

IRFP4668, IXFH140N20P, IXFN140N20P