时间：2025/12/28 16:24:12
阅读：14
C3M0045065K 是由 Wolfspeed（原 Cree Micro）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET，属于其第三代（C3M）碳化硅技术平台。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于高功率密度和高效率的电力电子系统。
类型：碳化硅 MOSFET
漏源电压 Vds：650V
漏极电流 Id（连续）：120A
导通电阻 Rds(on)：45mΩ
栅极电荷 Qg：115nC
短路耐受能力：600V/75A @ 100°C
封装类型：TO-247-3
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
C3M0045065K 具有出色的导通和开关性能，得益于其碳化硅材料的优势，能够提供比传统硅基 MOSFET 更低的开关损耗和更高的工作频率。其导通电阻仅为 45mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，在 600V 和 75A 的条件下仍能稳定工作，确保在异常工况下的可靠性。
在热性能方面，C3M0045065K 的 TO-247 封装设计能够有效散热，支持高达 175°C 的工作温度，适合在高温环境下使用。该器件还具备良好的栅极氧化层稳定性，支持高达 20V 的栅极电压，增强了驱动的灵活性和可靠性。
该 SiC MOSFET 在电磁干扰（EMI）控制方面也表现出色，有助于简化滤波电路并减少系统成本。此外，其内部结构设计优化了电容特性，降低了开关过程中的电压和电流过冲，提高了系统的稳定性。
C3M0045065K 主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、充电桩、光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动器等。其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能使其成为替代传统硅基 IGBT 的理想选择，尤其适合于需要高频开关操作和高效能转换的系统设计。
C3M0065065J、C3M0075065K、SiC MOSFETs from STMicroelectronics (e.g., SCTW70N65G2AGMP) and Infineon (e.g., IMZA65R048M1H)
