类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：8Gb x 4 Die Stacked in Package (PoP)
　　数据宽度：32位
　　最大数据速率：16 Gbps/pin
　　工作电压：1.35V (VDD/VDDQ)
　　I/O电压：1.35V
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（Tc）
　　接口标准：JESD253-60
　　刷新模式：支持自刷新与动态刷新
　　时钟频率：最大8 GHz（差分时钟）
　　预取架构：16n-prefetch
　　双倍数据率支持：是
　　错误检测与纠正：不支持片上ECC（依赖外部控制器）

K4A4G045WE-BCTD 的核心特性之一是其卓越的高速数据传输能力，支持高达16 Gbps的每引脚数据速率，使其成为当前主流高端GPU和AI加速器的理想选择。这种高带宽表现得益于GDDR6架构中引入的双通道体系结构，即将一个存储器核心划分为两个独立的8n预取通道，从而在保持较低内部时钟频率的同时实现极高的外部数据速率。这种设计不仅提升了效率，还减少了延迟波动，提高了整体系统的响应速度。
　　另一个显著特点是其优化的电源管理机制。相较于传统的GDDR5，K4A4G045WE-BCTD 工作电压降低至1.35V，并结合动态电压调节和多种低功耗模式（如待机、自刷新等），有效控制了功耗增长，尤其在大规模并行运算或长时间高负载运行时表现出更佳的能效比。此外，芯片内置精密的时序控制逻辑和均衡驱动电路，增强了信号完整性，减少了串扰和反射问题，在高频下仍能维持稳定的读写操作。
　　该器件采用堆叠式裸晶（Die Stacking）封装技术，将多个存储单元垂直集成于同一封装内，极大地提升了单位面积内的存储密度，同时缩短了信号路径，进一步提升了访问速度与散热效率。封装形式为96球FBGA，具备良好的机械稳定性和热传导性能，适合SMT贴装工艺。它完全兼容JEDEC GDDR6标准协议，支持自动校准、写入 leveling 和时钟训练等功能，简化了系统级调试流程。
　　此外，K4A4G045WE-BCTD 具备出色的温度适应性，可在结温最高达+95°C条件下可靠运行，满足大多数图形处理器的工作需求。虽然该芯片本身不集成ECC纠错功能，但可通过外部GPU控制器实现高级别的数据完整性保护，适用于对稳定性有较高要求的专业计算领域。总体而言，这款芯片代表了当前高性能图形内存的技术前沿，兼顾速度、功耗与可靠性，是构建下一代视觉计算平台的关键元件。

主要用于高端独立显卡（如NVIDIA GeForce RTX系列、AMD Radeon RX系列）、人工智能推理与训练加速卡、数据中心GPU模块、高性能计算（HPC）系统、专业图形工作站、虚拟现实（VR）与增强现实（AR）设备、自动驾驶图像处理单元以及需要极高内存带宽的嵌入式视觉系统。此外，也可用于高端游戏主机和服务器端图形渲染引擎中，以支持4K/8K视频处理、实时光线追踪及复杂三维建模任务。

K4A4G085WE-BCTD
　　K4Z4G045EC-MCJ1
　　MT60B4G4JA-16W:B