时间:2025/12/24 18:09:48
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K4086 是一款由韩国三星(Samsung)公司生产的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其广泛使用的DRAM产品系列之一。这款芯片主要用于需要大容量内存和高速数据处理的应用,例如个人电脑、服务器、嵌入式系统以及图形处理设备等。K4086 以其高存储密度、低功耗设计和出色的稳定性而闻名,广泛应用于需要高效数据存储和快速访问的场景。
类型:DRAM
容量:256Mb(兆位)
组织结构:x16
工作电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
引脚数:54引脚
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
刷新周期:64ms
数据保持电压:最低2V
最大功耗:典型值为120mA(工作模式)
K4086 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,具备出色的存取速度和稳定性。其高速访问时间为5.4ns,使得该芯片能够满足高频率系统的需求,适用于要求快速数据处理的应用场景。芯片的电压范围较宽,可在2.3V至3.6V之间正常工作,增强了其在不同系统环境中的适应性。此外,K4086 采用TSOP封装,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适用于高密度电路板设计。其64ms的刷新周期确保了数据在断电情况下仍能保持一定时间,提高了系统的可靠性。K4086 还具备较低的待机电流,有助于降低整体系统功耗,适合电池供电或节能型设备。
K4086 主要应用于需要大容量高速存储的电子设备中,例如个人电脑、服务器、嵌入式系统、图形加速卡、工业控制设备以及通信设备等。由于其高速访问时间和低功耗特性,K4086 也常用于便携式设备和需要高效内存管理的系统中。此外,该芯片在需要大量数据缓存和临时存储的场景中表现尤为出色,例如视频处理、图像存储和高速数据缓冲等应用。
K4086 可以被其他类似规格的DRAM芯片替代,如ISSI的IS42S16256A、Micron的MT48LC16M2A2B4-6A 和 Cypress的CY7C1041CV。这些替代型号在容量、速度和封装方面与K4086相近,但在电气特性和兼容性上可能略有差异,使用时应根据具体应用需求进行验证。