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IXTA152N085T 发布时间 时间:2025/8/6 9:19:10 查看 阅读:27

IXTA152N085T是一款由Littelfuse公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率转换系统中。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,非常适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):85V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):152A(在Tc=25°C)
  导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ(最大值)
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXTA152N085T具有多个显著特性,包括低导通电阻(RDS(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力使得该器件能够在高负载条件下稳定工作,适用于高功率密度的设计。该MOSFET采用了先进的沟槽技术,提供了优异的热性能和电气性能。
  此外,IXTA152N085T的封装形式为TO-263(D2PAK),这种表面贴装封装形式具有良好的散热性能,适用于自动化生产和高可靠性应用。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)使其能够在极端环境条件下正常工作,增强了器件的适应性。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,能够承受瞬时过载和高能脉冲。这对于保护电路免受异常情况影响非常重要,有助于提高系统的稳定性和寿命。

应用

IXTA152N085T适用于多种高功率电子系统,包括但不限于DC-DC转换器、电源管理系统、电动工具、电机控制电路以及工业自动化设备。其高效能和高可靠性的特点使其成为汽车电子系统(如车载充电器和电池管理系统)中的理想选择。
  在DC-DC转换器中,IXTA152N085T的低导通电阻和高电流能力可以显著提高转换效率,并减少热量产生。在电源管理系统中,该MOSFET可用于负载开关、电源分配和电池保护等关键功能。在电机控制应用中,其高耐压和高电流特性使其能够驱动大功率电机,并提供可靠的开关性能。
  此外,该器件也适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和储能系统等新能源应用,确保在高负载和高温度条件下的稳定运行。

替代型号

IXTA150N085T, IXTA160N085T

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IXTA152N085T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)85V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C152A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs114nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5500pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件