时间：2025/11/12 11:44:32
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K3RG2G20CM-CGCJ 是由三星（Samsung）生产的一款嵌入式存储芯片，属于其KL系列的eMMC（embedded MultiMediaCard）产品线。该器件主要面向需要高可靠性、高性能和大容量存储的移动及嵌入式应用领域，如智能手机、平板电脑、物联网设备、工业控制面板以及车载信息娱乐系统等。作为一款采用BGA封装的小型化闪存解决方案，K3RG2G20CM-CGCJ 集成了NAND闪存与控制器于一体，支持eMMC标准接口协议，能够简化主机处理器的设计复杂度，并提供稳定的读写性能。此型号的具体命名遵循三星eMMC的命名规则：其中“K3R”代表产品系列，“G2G”表示基于3D NAND TLC技术的2Gb密度层级，“20”指代20nm制程或特定世代工艺，“CM”为功能标识，而“CGCJ”通常对应封装类型、温度等级和速度分级等细节。该芯片工作电压一般为VCC 2.7~3.6V，VCCQ 1.7~1.95V，适用于宽温环境下的稳定运行，具备良好的耐久性和数据保持能力，适合长期部署在对稳定性要求较高的应用场景中。此外，它还支持HS400增强模式，提供高达400MB/s的顺序读取速度，显著提升系统响应效率。
品牌：Samsung
型号：K3RG2G20CM-CGCJ
类型：eMMC
容量：8GB
接口标准：eMMC 5.1
工作电压 - VCC：2.7V ~ 3.6V
工作电压 - VCCQ：1.7V ~ 1.95V
封装类型：BGA-169
尺寸：11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
最大顺序读取速度：400MB/s（HS400模式）
最大顺序写入速度：180MB/s
NAND 类型：3D TLC NAND
工作温度范围：-25°C ~ +85°C
存储温度范围：-40°C ~ +85°C
符合 RoHS 规范：是
K3RG2G2G20CM-CGCJ 采用了三星先进的3D TLC NAND闪存技术，通过垂直堆叠存储单元的方式，在有限的空间内实现了更高的存储密度和更低的单位成本，同时保持了较好的能效比。该芯片内置智能闪存控制器，集成了错误校正码（ECC）、坏块管理、磨损均衡（Wear Leveling）、垃圾回收（Garbage Collection）以及动态热管理等功能，确保在长时间运行过程中维持数据完整性与系统稳定性。
其支持eMMC 5.1协议规范，兼容多种主机平台，尤其适用于ARM架构的嵌入式处理器系统。在高速操作方面，该器件支持HS400增强双倍数据速率（DDR）模式，可在时钟上升沿和下降沿同时传输数据，理论带宽达到400MB/s，显著提升了启动速度、应用程序加载效率和文件传输性能，满足现代智能设备对快速响应的需求。
此外，该eMMC模块具备较强的抗干扰能力和环境适应性，能够在-25°C至+85°C的工业级温度范围内可靠运行，适用于车载电子、户外监控设备及工业自动化控制系统等严苛环境。封装采用标准169球BGA形式，便于SMT贴装和回流焊工艺，有利于实现小型化设计与批量生产一致性。
安全性方面，K3RG2G20CM-CGCJ 支持写保护、加密启动、安全擦除等高级功能，可防止未经授权的数据访问或篡改，保障用户隐私与系统安全。配合三星成熟的固件优化策略，该器件在随机读写性能、IOPS表现和功耗控制方面均处于行业领先水平，特别适合需要频繁读写操作的操作系统存储场景。整体来看，这是一款兼顾性能、可靠性与集成度的主流嵌入式存储解决方案。
广泛应用于智能手机和平板电脑中作为主存储介质；用于工业级HMI人机界面、PLC控制器中的程序与数据存储；适用于车载导航系统、行车记录仪和ADAS辅助驾驶系统的嵌入式存储需求；支持智能家居网关、网络摄像头、POS终端等物联网边缘设备的数据缓存与系统运行空间；也可用于医疗设备、便携式仪器仪表等对稳定性和寿命有较高要求的领域。
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