时间：2025/6/25 18:52:03
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K3QF3F30BM-AGCF 是一款由三星（Samsung）生产的 DDR5 SDRAM 内存芯片，主要用于高性能计算、服务器和数据中心等应用。该芯片采用先进的制程工艺制造，支持更高的数据传输速率和更低的功耗，能够满足现代计算设备对内存性能和效率的需求。
DDR5 技术相比前代 DDR4，在带宽、容量和能效方面都有显著提升，使其成为未来高性能计算平台的理想选择。
类型：DDR5 SDRAM
容量：8 Gb (1 Gb = 128 MB)
组织结构：16 Bank Groups, 32K x 8 banks
接口：x4/x8/x16
数据速率：4800 Mbps 至 6400 Mbps
工作电压：VDD = 1.1V
封装形式：FBGA
引脚数：72-ball
温度范围：-40°C 至 +95°C
制程工艺：1a nm 级
K3QF3F30BM-AGCF 具有以下主要特性：
1. 高速数据传输：支持高达 6400 Mbps 的数据速率，提供卓越的带宽性能，适合需要快速数据处理的应用场景。
2. 低功耗设计：采用 1.1V 工作电压，比前代产品更加节能。
3. ECC 支持：具备纠错功能，提高数据完整性和系统可靠性。
4. 多 Bank Group 架构：通过 16 Bank Groups 提升并发性能，减少访问延迟。
5. 先进的信号完整性：优化的电路设计确保在高速运行时保持稳定的信号质量。
6. 高密度存储：单颗芯片提供 8 Gb 容量，有助于构建大容量内存模块。
这些特性使得 K3QF3F30BM-AGCF 成为高端服务器、工作站和高性能计算设备中的关键组件。
K3QF3F30BM-AGCF 主要应用于以下领域：
1. 服务器和数据中心：为大规模数据处理和云计算提供高效、可靠的内存支持。
2. 高性能计算 (HPC)：满足科学计算、人工智能训练和推理等高带宽需求任务的要求。
3. 工作站：支持图形密集型应用和复杂的数据分析任务。
4. 网络设备：用于路由器、交换机和其他需要高性能内存的网络基础设施。
5. 工业自动化：在工业控制和实时数据处理系统中发挥重要作用。
K3QF3F30BM-AGCF 凭借其高性能和低功耗特点，成为这些应用场景中的理想选择。
K3QF3F30BM-GCFC, K3QF3F30BM-GCFF, K3QF3F30BM-AJCF
