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AOD242 发布时间 时间:2025/5/10 14:10:52 查看 阅读:7

AOD242是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式通常为SOT-23,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗:420mW(Tc=25℃)
  结温范围:-55℃至150℃

特性

AOD242的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 高度稳定的电气性能和可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

AOD242适用于多种电子电路场景,主要包括:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. 便携式设备的负载开关。
  3. 消费类电子产品中的电池管理。
  4. 信号电平转换和小型电机控制。
  5. 各种需要高效能功率开关的应用。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDP155N06L

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AOD242参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14.5A(Ta),54A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)28 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1350 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),53.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63