时间：2025/7/16 12:57:03
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K3N6S1000D-YC 是一款由三星（Samsung）推出的存储芯片，属于 K3 系列。该芯片主要用作 DDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器），广泛应用于高性能计算、服务器和网络设备等对数据传输速度和稳定性要求较高的领域。
该型号采用先进的制造工艺，支持高频率运行，同时具备低功耗特性，能够显著提升系统的整体性能。
类型：DDR4 SDRAM
容量：8 Gb (1 GB)
组织结构：16M x 8
电压：1.2V
频率：2133 MHz
I/O 引脚数：78
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口标准：JEDEC 标准
K3N6S1000D-YC 提供了卓越的性能和可靠性。其主要特性包括：
1. 支持 DDR4 接口协议，具有更高的带宽和更低的延迟。
2. 使用 20nm 工艺技术制造，有效降低功耗并提高能效。
3. 具备 ECC（错误检查与纠正）功能，增强了数据的完整性和系统稳定性。
4. 提供多种省电模式，在空闲状态下可以显著减少能耗。
5. 符合 JEDEC 标准，确保与各种主流平台的良好兼容性。
K3N6S1000D-YC 主要应用于以下领域：
1. 高性能服务器和工作站，用于处理大规模的数据运算和存储需求。
2. 路由器和交换机等网络设备，提供快速的数据转发能力。
3. 工业自动化控制设备，满足实时性和可靠性的要求。
4. 数据中心解决方案，为云计算和大数据分析提供强大支持。
5. 游戏主机和其他需要高速内存的消费类电子产品。
K3N6S1000D-KC, K3N6S1000D-XC
