时间：2025/5/16 14:57:48
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K3D-5620M5(AC) 是一款基于高密度存储技术的 NAND Flash 芯片，广泛应用于消费电子、工业控制以及嵌入式系统中。该芯片采用先进的工艺制程，具备高性能和高可靠性，支持多种接口协议和数据管理功能，适用于需要大容量存储的应用场景。
其主要特点包括低功耗设计、高速数据传输能力以及强大的错误纠正能力（ECC），能够满足现代电子设备对存储性能和稳定性的要求。
容量：512Gb
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
I/O 接口电压：1.8V
页大小：16KB
块大小：1024KB
通道数：8
数据传输速率：400MT/s
擦写寿命：3000次
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
K3D-5620M5(AC) 具备以下显著特性：
1. 高密度存储：单颗芯片提供 512Gb 的存储容量，适合需要大容量存储的应用。
2. 快速数据传输：支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，数据传输速率高达 400MT/s。
3. 强大的 ECC 功能：内置错误纠正机制，可有效提升数据读写的稳定性与可靠性。
4. 低功耗设计：优化的电路结构使其在运行和待机状态下均能保持较低的功耗水平。
5. 广泛的工作温度范围：能够在 -40℃ 至 +85℃ 的温度范围内正常工作，适应各种环境条件下的应用需求。
6. 稳定性强：经过严格测试，确保长期使用的可靠性和耐用性。
K3D-5620M5(AC) 主要应用于以下领域：
1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、数码相机等，提供高效的存储解决方案。
2. 工业控制设备：用于工控计算机、自动化控制系统中的数据存储模块。
3. 嵌入式系统：为物联网设备、网络路由器及交换机等提供稳定的存储支持。
4. 数据记录设备：如行车记录仪、监控摄像头等需要长时间连续存储数据的设备。
5. 医疗设备：为便携式医疗仪器和诊断设备提供可靠的存储功能。
K3QF5W1CMM-BGCH, KLMRG2TETD-B031, KBGV7R8U4M-B031
