K3917 时间：2025/8/9 3:06:57 阅读：39

K3917 是一款由韩国公司KEC（Korea Electronics）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能和高可靠性的开关应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电器以及各种电源供应设备中。K3917采用了先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适合需要高电流和快速开关特性的应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：20A（连续）
　　最大功耗（Pd）：60W
　　导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K3917 具备多项优秀的电气和物理特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为约8.5mΩ，这对于高电流应用来说是一个非常关键的参数。
　　其次，K3917 的最大漏源电压为30V，最大漏极电流可达20A，这使其能够胜任高功率密度的设计需求。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，能够在高温环境下稳定工作。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的栅极电压操作，这使得它能够与多种驱动电路兼容。同时，±20V的栅源电压耐受能力增强了其在复杂电气环境下的可靠性。
　　K3917 还具备快速开关特性，其开关损耗较低，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。此外，其耐用的结构设计和高雪崩能量耐受能力进一步提升了其在恶劣工作条件下的稳定性。

应用

K3917 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。在DC-DC转换器中，K3917 的低导通电阻和高电流承载能力使其成为理想的选择，能够有效提高转换效率并降低发热。
　　在电源管理模块中，该MOSFET可用于负载开关、电源分配和电流控制等功能。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业自动化设备、嵌入式系统以及通信设备等严苛环境下的应用。
　　此外，K3917 还常用于电池充电器和放电管理系统中，特别是在需要高效率和快速充放电的场合，如电动车、电动工具和便携式电子设备中。其优异的热性能确保了在长时间高电流工作下的稳定性。
　　由于其优异的开关特性和高可靠性，K3917 也常用于电机控制、逆变器、LED驱动器以及各种类型的开关电源（SMPS）设计中。