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K3787 发布时间 时间:2025/8/8 20:32:53 查看 阅读:28

K3787 是一款由东芝(Toshiba)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用。该器件采用高密度单元设计,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了功率损耗并提高了效率。K3787 的封装形式通常为 TO-220 或 TO-220F,便于散热和安装。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):150A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):≤2.7mΩ(在 VGS=10V 时)
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220 或 TO-220F

特性

K3787 具备优异的导通性能和较低的导通损耗,这得益于其极低的 Rds(on) 值。该 MOSFET 在高电流应用中表现出色,能够有效减少发热并提高整体系统效率。
  此外,K3787 的封装设计提供了良好的热管理和散热能力,使其能够在高功率条件下稳定运行。其高耐压能力和较强的电流承受能力,使其适用于多种高要求的电源管理场景。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在突发的高电压条件下提供一定的保护作用,增强了系统的可靠性和稳定性。

应用

K3787 主要用于需要高电流和低导通损耗的功率电子设备中,包括但不限于以下应用场景:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电动工具和电机控制、电池管理系统(BMS)、汽车电子和工业自动化设备。由于其优异的电气性能和稳定的热管理能力,K3787 在工业和汽车应用中特别受欢迎。

替代型号

SiHF150N60E、IRF150N60BDPBF、TK3787K、TK3787K-X、TK3787KH

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