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CDBMH120-HF 发布时间 时间:2025/12/26 12:54:44 查看 阅读:14

CDBMH120-HF是一款高性能的肖特基势垒二极管,由Central Semiconductor Corp.生产。该器件采用先进的平面技术制造,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于高效率的电源转换应用。其封装形式为SMA(DO-214AC),是一种表面贴装器件,便于在现代紧凑型电子设备中使用。CDBMH120-HF特别设计用于处理高达1.0A的平均整流电流,并能承受最高120V的反向重复峰值电压(VRRM)。这使得它非常适合在各种直流-直流转换器、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中使用。该二极管符合RoHS指令要求,不含铅和其他有害物质,属于环保型产品。此外,由于其出色的热稳定性和可靠性,在高温环境下也能保持良好的性能表现。CDBMH120-HF广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备及汽车电子系统等领域。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  最大平均整流电流(Io):1.0A
  最大反向重复峰值电压(VRRM):120V
  最大正向电压降(VF):0.55V @ 1.0A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 120V, 25°C
  工作结温范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  安装类型:表面贴装
  引脚数:2

特性

CDBMH120-HF的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力,这两项特性对于提升电源系统的整体效率至关重要。在典型工作条件下,当通过1A电流时,其正向压降仅为0.55V左右,显著低于传统PN结二极管,从而大幅减少了导通损耗,提高了能量转换效率。这种低VF特性尤其适合用于低压大电流输出的开关电源和DC-DC变换器中,例如在笔记本电脑适配器、LED驱动电源或便携式充电设备中作为续流或整流元件。
  该器件采用肖特基势垒结构,利用金属-半导体接触形成势垒,而非传统的P-N结,因此不存在少数载流子存储效应,具备极快的反向恢复速度(trr通常小于10ns),几乎无反向恢复电荷(Qrr)。这一特点使其能够在高频开关环境中稳定运行,有效减少开关过程中的功率损耗和电磁干扰(EMI),并避免因反向恢复引起的电压尖峰问题。这对于提高开关电源的工作频率、缩小滤波元件体积、实现小型化设计具有重要意义。
  CDBMH120-HF的SMA封装具有良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。其额定工作结温可达+125°C,表明其在较高环境温度下仍可安全运行,适用于对可靠性要求较高的工业级应用场景。同时,器件经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)等,确保长期使用的稳定性。此外,产品符合无铅焊接工艺要求,支持回流焊和波峰焊等多种组装方式,适应现代绿色制造的需求。

应用

CDBMH120-HF因其优异的电气特性和紧凑的封装形式,被广泛应用于多种电力电子电路中。主要用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流二极管,特别是在低压大电流输出的Buck、Boost和Flyback拓扑结构中发挥关键作用;也可用作反向极性保护元件,防止电源接反而损坏后续电路,常见于电池供电设备或USB接口电源管理模块中。
  在DC-DC转换器中,该二极管常作为续流二极管(Freewheeling Diode)使用,用于释放电感储能,维持电流连续性,提升转换效率。此外,它还适用于逆变器电路、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等需要高效整流的场合。在消费类电子产品如智能手机充电器、平板电源适配器、LED照明驱动电源中,CDBMH120-HF能够帮助实现更高的能效等级和更小的外形尺寸。
  在工业控制领域,该器件可用于PLC模块、传感器供电单元和电机驱动电路中的箝位或保护功能。由于其具备一定的耐压能力和温度稳定性,也适合在部分汽车电子系统中使用,例如车载充电器、DC-DC降压模块或辅助电源单元。总之,凡是需要低功耗、高效率、快速响应的整流或保护功能的应用场景,CDBMH120-HF都是一个理想的选择。

替代型号

[
   "SB10120,512",
   "MBR1100",
   "MBR1101",
   "1N5819WS",
   "SS14",
   "SS16"
  ]

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CDBMH120-HF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)500mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200µA @ 20V
  • 电容@ Vr, F120pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123T
  • 供应商设备封装SOD-123T
  • 包装带卷 (TR)