K375 时间：2025/9/7 15:26:27 阅读：9

K375 是一款广泛应用于电子设备中的晶体管型号，属于NPN型高频晶体管。这种晶体管常用于低噪声放大器（LNA）和高频信号放大电路中，适用于射频（RF）和中间频率（IF）的应用场景。K375晶体管因其高频性能和稳定性，被广泛用于通信设备、音频放大器和其他需要高频信号处理的电子系统。

参数

类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　封装形式：TO-92

特性

K375晶体管具有出色的高频性能，能够在100MHz的过渡频率下稳定工作，非常适合高频放大应用。
　　该晶体管设计为低噪声晶体管，适合用于低噪声放大器（LNA）中，能够有效提升信号接收的灵敏度和清晰度。
　　其电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的档位，可以在110到800之间变化，这使得它在不同的电路设计中具有很高的灵活性。
　　K375的封装形式为TO-92，这是一种常见的三引脚塑料封装，便于安装和焊接，适用于通孔插装技术（THT）和手工焊接。
　　此外，该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，能够满足中等功率的放大需求，同时具有较低的功耗，最大功耗仅为200mW。
　　K375的工作温度范围为-55°C至+150°C，使其在极端环境条件下也能保持稳定的性能。

应用

K375晶体管主要应用于射频（RF）和中间频率（IF）放大电路中，例如在无线电接收器、电视调谐器和通信设备中作为前置放大器使用。
　　由于其低噪声特性，K375常用于低噪声放大器（LNA）设计，以提高信号的接收质量。
　　此外，该晶体管也可用于音频放大电路，尤其是在需要高频响应的音频设备中，如音频混音器和前置放大器。
　　K375的高频性能使其在无线通信系统中被广泛使用，例如在无线局域网（WLAN）、蓝牙模块和射频识别（RFID）设备中充当信号放大元件。
　　由于其TO-92封装的紧凑设计，K375也适用于各种小型电子设备和嵌入式系统中的信号处理和放大应用。