K3726是一种N沟道功率MOSFET,广泛用于高电流和高电压的应用。这款MOSFET具有优异的导通特性和热稳定性,适用于各种电源管理和电机控制场合。K3726以其高效能和可靠性而闻名,是一款在工业和消费类电子产品中常用的功率器件。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大值)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至+175°C
K3726是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有极低的导通电阻,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在高功率应用中表现出色。此外,K3726采用了先进的封装技术,提供了优良的散热性能,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作状态。该器件还具有较高的抗雪崩能力和过载保护能力,能够在严苛的工作环境中可靠运行。
K3726的设计使其在开关应用中表现出色,具备快速开关速度和低开关损耗的特点。其栅极驱动要求较低,能够与常见的驱动电路兼容,简化了设计和应用。由于其优良的电气特性和机械特性,K3726在电源转换器、电机控制器和电池管理系统等领域得到了广泛应用。
K3726常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、电池管理系统以及各种高功率电子设备中。由于其高可靠性和优异的性能,它也适用于汽车电子系统和工业自动化设备中的功率控制部分。
IRF1405, Si4410BDY, FDS4410A