型号：K3702
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：900 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID：3.8 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：15 A
　　导通电阻RDS(on)：max 2.0 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压VGS(th)：4.0 V（典型值）
　　输入电容Ciss：600 pF @ VDS=25 V
　　输出电容Coss：180 pF @ VDS=25 V
　　反向恢复时间trr：< 100 ns
　　最大功耗PD：50 W
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220 / TO-220F

K3702具备优异的电气性能与可靠性，适用于多种高压开关应用场景。其最大的特性之一是高达900V的漏源击穿电压（VDS），使其能够在高压环境下稳定工作，适用于离线式开关电源（SMPS）中的主开关元件，尤其是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中表现出色。该器件的导通电阻RDS(on)最大为2.0Ω，在同类高压MOSFET中属于较低水平，有助于减少导通期间的能量损耗，提升电源转换效率。同时，得益于优化的沟道设计和硅工艺，K3702在栅极驱动方面具有良好的线性度和稳定性，确保在不同负载条件下均能实现可靠开关动作。
　　K3702还具备出色的热性能，其最大功耗可达50W，配合合适的散热措施可在高温环境中长期运行。器件的输入和输出电容较小，分别为600pF和180pF，这有助于降低高频开关过程中的容性损耗，并加快开关速度，从而减少开关过渡时间带来的能量浪费。此外，其较短的反向恢复时间（trr < 100ns）使得体二极管在感性负载关断时能迅速截止，抑制电压尖峰，增强系统的EMI性能和安全性。
　　该MOSFET的栅极阈值电压典型值为4.0V，兼容常见的逻辑电平驱动电路，如PWM控制器输出，简化了驱动电路设计。同时，±30V的栅源电压容限提供了较强的抗干扰能力，防止因驱动信号波动导致器件损坏。K3702还具备良好的雪崩耐受能力和抗浪涌性能，能够在异常工况下保持一定鲁棒性，适用于工业级应用环境。综合来看，K3702是一款兼顾高压能力、低损耗和高可靠性的功率MOSFET，适合对成本与性能有平衡要求的设计项目。

K3702主要应用于各类中高电压开关电源系统中，包括但不限于AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及小型逆变器等。由于其900V的高耐压特性，特别适用于全球通用输入电压范围（85–265V AC）下的离线式反激变换器设计，作为主开关管使用，能够有效应对整流后的高压直流母线（约400V DC）。在DC-DC转换器中，K3702可用于升压（Boost）或半桥拓扑结构中，特别是在光伏微逆变器或电池管理系统中发挥重要作用。
　　此外，该器件也常见于电机控制电路中，例如小型家电中的直流无刷电机驱动，利用其快速开关特性和低导通损耗实现高效的能量传输。在照明领域，尤其是高压LED路灯或工业照明电源模块中，K3702被广泛采用以提高电源效率并延长使用寿命。工业自动化设备中的继电器驱动、电磁阀控制等功率切换场合也可选用K3702来替代传统双极型晶体管，获得更低的驱动功耗和更高的响应速度。
　　由于其TO-220封装具有良好的散热能力和机械强度，K3702非常适合需要长时间连续运行的应用场景。同时，其成熟的技术平台和稳定的供货渠道使其成为许多量产产品的首选器件。在一些老旧设备维护或替代设计中，K3702也因其广泛的兼容性和易获取性而被优先考虑。总之，凡是需要在高压环境下进行高效、可靠功率控制的应用，K3702都是一种值得信赖的选择。

2SK3702

TO-220