时间：2025/12/26 3:51:17
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BAV170-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的双通道表面贴装硅开关二极管阵列，专为高频信号切换、ESD保护和信号整形等应用设计。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适用于高密度PCB布局，广泛用于便携式消费电子产品、通信设备及工业控制电路中。BAV170-7-F内部集成了两个独立的PIN二极管，具备快速开关特性，能够在纳秒级时间内完成导通与截止状态的转换，确保对高速数字信号或射频信号的有效处理。该器件具有低漏电流、高反向击穿电压和优良的温度稳定性，可在较宽的工作温度范围内保持性能一致。其结构设计优化了寄生电容和电感，有助于减少信号失真和串扰，提升系统整体信号完整性。
BAV170-7-F符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代自动化贴片生产线使用。器件的命名中，“BAV”代表其属于通用开关二极管系列，“170”表示具体型号序列，“-7-F”通常指卷带包装形式，便于SMT设备供料。由于其出色的电气特性和可靠性，BAV170-7-F常被用于电源管理电路中的极性保护、I/O端口的瞬态电压抑制以及多路复用器前端的信号钳位等功能模块中。此外，该器件也适用于需要低电容接口的USB、HDMI等高速数据线路保护设计。
类型：双开关二极管
极性：共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：70V
最大直流反向电压（VR）：70V
最大正向整流电流（IF）：200mA
峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
正向电压（VF）：1.25V @ 10mA
反向漏电流（IR）：5μA @ 70V
结温（Tj）：150℃
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
电容（Ct）：4pF @ 0V, 1MHz
封装/包装：SOT-23
供应商：Diodes Incorporated
BAV170-7-F的核心特性之一是其优异的高频响应能力，这主要得益于其低结电容和快速恢复时间的设计。在高频应用中，如射频开关或高速数据传输线路，寄生电容会显著影响信号质量，导致衰减或相位偏移。而BAV170-7-F在零偏压下的典型结电容仅为4pF，在1MHz测试条件下测量，这一数值远低于传统整流二极管，使其非常适合用于高频信号路径中作为开关或保护元件。同时，其快速恢复时间（trr）通常小于4ns，这意味着它可以在极短时间内从导通状态切换到截止状态，避免了在高频切换过程中出现明显的反向恢复电流尖峰，从而降低了功耗并提高了系统效率。
另一个关键特性是其高反向击穿电压与低漏电流之间的良好平衡。BAV170-7-F的最大重复反向电压可达70V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于多种电源轨和信号电平环境。与此同时，在70V反向电压下，其最大反向漏电流仅为5μA，表明其在截止状态下具有良好的阻断能力，不会因微小漏电造成系统误动作或额外能耗。这种低漏电特性在电池供电设备中尤为重要，有助于延长待机时间和提高能效。
该器件还具备出色的热稳定性和可靠性。其最高结温可达150℃，支持在高温环境下长期稳定运行，适用于工业级应用场景。SOT-23封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，通过PCB焊盘可有效传导热量。此外，BAV170-7-F通过了严格的可靠性认证，包括高温反向偏置（HTRB）、温度循环和高压蒸煮试验，确保在恶劣环境下的耐用性。其材料构成符合绿色环保要求，不含铅、镉等有害物质，满足RoHS和REACH法规要求，适合全球市场推广使用。
BAV170-7-F广泛应用于各类需要高速开关和信号保护的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的I/O接口保护电路，例如用于USB数据线、音频插孔或触摸屏控制器信号线的ESD防护，防止静电放电损坏敏感的CMOS集成电路。在通信领域，该器件可用于基站前端模块、光纤收发器和无线路由器中的RF信号路由与切换，利用其低电容和快速响应特性实现高效信号控制。工业控制系统中，BAV170-7-F可用于PLC输入输出模块的信号调理电路，提供过压钳位和反极性保护功能，增强系统的抗干扰能力。此外，在电源管理单元中，它可以作为辅助保护二极管，防止反向电流倒灌或在多电源切换时实现自动选择最优供电路径。汽车电子方面，尽管非车规级版本不适用于严苛车载环境，但在车载信息娱乐系统的外围接口中仍可找到其应用实例。总之，凡是需要小型化、高性能开关二极管的场合，BAV170-7-F都是一个可靠且经济的选择。
MMBD170LT1G
BAV99W-7-F
BAT54C-T1-E3
DMN2016UFG-7
MAX3081ESA+
