K3681 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高功率处理能力。K3681 适用于多种电源系统,如DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电源管理模块等,尤其适合需要高效率和低损耗的场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
最大连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247
功率耗散(Pd):200W
K3681 MOSFET具备多项优良特性,首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统的效率。其次,该器件的高电流承载能力(可达120A)使其适用于高功率应用场景,如大功率电源转换和电机驱动。此外,K3681 的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,从而进一步提高器件的热稳定性。
另外,K3681 的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至20V驱动电压,使其兼容多种栅极驱动电路。同时,该器件具有较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下提供更好的可靠性。K3681 还具备较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),使其在高频开关应用中表现出色,减少开关损耗并提高响应速度。
在可靠性方面,K3681 通过了工业级标准的测试,确保其在恶劣环境条件下仍能稳定工作。此外,其内置的体二极管也具有较快的恢复特性,适用于需要反向能量回馈的应用场景,如H桥电机驱动和同步整流电路。
K3681 适用于多种高功率电子设备和系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、马达控制模块、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制单元。此外,该器件也常用于电动车、储能系统和光伏逆变器等新能源应用中,作为主功率开关使用。由于其出色的导通特性和高频响应能力,K3681 也适合用于音频放大器和射频功率放大电路中的功率输出级。在汽车电子领域,K3681 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载逆变器等应用,满足汽车级可靠性和耐久性要求。
SiR178DP, IRF1405, FDP1405, STP120NF30