类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15 A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：65 V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.1 V 至 4.0 V
　　最大漏源导通电阻（RDS(on)）：≤ 0.035 Ω
　　最大工作频率：1 GHz
　　输出功率（Pout）：典型值150 W（在特定频率和调制条件下）
　　增益：≥ 20 dB（典型值，取决于频率和偏置条件）
　　静态漏极电流（IDSS）：≤ 10 mA（VGS = 0 V）
　　输入电容（Ciss）：约 1200 pF
　　输出电容（Coss）：约 150 pF
　　反向传输电容（Crss）：约 15 pF
　　封装形式：SOT-1287-1 或类似法兰封装
　　热阻（Rth-jc）：0.35 °C/W
　　工作结温范围（Tj）：-40 °C 至 +200 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +200 °C

RF9938具备出色的射频功率处理能力和高效率特性，适用于多种高频应用场景。其核心优势在于高功率增益与低失真表现，在AM/FM/PM等多种调制方式下均能保持良好的线性度，这对于需要高质量信号放大的通信系统至关重要。器件内部结构经过优化设计，有效降低了寄生电感与电容，提升了高频稳定性，避免了自激振荡问题。
　　该MOSFET采用坚固的封装技术，确保在高功率密度工作状态下具备优异的散热性能。通过金属底座直接连接散热器，可实现高效的热传导路径，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，RF9938对瞬态过压和静电放电（ESD）具有较强的耐受能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。
　　在偏置方面，RF9938支持固定栅极电压驱动或有源偏置控制，便于集成到自动电平控制（ALC）系统中，实现输出功率的精确调节。其输入阻抗较高，易于与前级驱动电路进行阻抗匹配，减少信号反射和损耗。同时，由于其对温度变化的敏感性较低，因此在宽温范围内仍能维持稳定的输出特性，无需频繁调整偏置点。
　　RF9938还表现出良好的互调性能，在多载波应用中能够有效抑制三阶互调产物（IMD3），满足严格的频谱掩模要求。这一特性使其特别适用于蜂窝通信基站、数字电视广播等对信号纯净度要求极高的场合。综合来看，RF9938凭借其高功率、高效率、高可靠性的特点，成为现代射频功率放大设计中的关键元器件之一。

RF9938广泛应用于各类射频功率放大系统中，尤其适合工作在几十MHz到1GHz频段内的中高功率放大器设计。典型应用包括FM广播发射机、数字音频广播（DAB）、地面数字电视（DTMB/T-DMB）发射系统，以及陆地集群无线电（TETRA）、公共安全通信系统等专业无线通信设备。此外，该器件也常用于工业加热、射频激励源、等离子体发生器等非通信类射频能量应用领域。
　　在移动通信基础设施中，RF9938可用于GSM、CDMA、WCDMA乃至早期LTE基站的末级功率放大模块，提供稳定可靠的高功率输出。其高效率特性有助于降低系统功耗，减少冷却成本，符合绿色节能的发展趋势。在便携式或车载双向电台中，RF9938可用作主功率放大单元，支持语音和数据信号的远距离传输。
　　由于其良好的线性度和互调抑制能力，RF9938也被广泛用于需要高保真信号放大的测试仪器和实验室用射频源设备中。在科研领域，它还可作为粒子加速器、核磁共振设备中的射频激励源组件。此外，该器件适用于全固态发射机架构，替代传统真空管器件，提升系统集成度与维护便利性。
　　得益于其宽泛的工作温度范围和环境适应性，RF9938可在户外恶劣环境中长期运行，适用于偏远地区通信站、海上平台通信系统及军事战术通信装备等严苛应用场景。总之，无论是在民用通信、广播电视还是工业与科研领域，RF9938都展现出强大的适应能力和卓越的性能表现。

MRFE6VP61K25H
　　BLF6G20LS-140
　　PD55003
　　AFY18N50F