K3555 时间：2025/9/24 14:24:55 阅读：15

K3555是一款由英飞凌（Infineon） Technologies推出的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类高效率开关电源系统中。该器件采用先进的TrenchStop?技术，结合优化的封装设计，能够在高频率开关条件下提供卓越的导通和开关性能。K3555特别适合用于工业电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备以及其他需要高效能功率开关的应用场景。该MOSFET具备低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力以及良好的热稳定性，有助于减少系统功耗并提升整体能效。其引脚配置符合标准TO-220或TO-247封装规范，便于在现有电路设计中进行替换与集成。此外，K3555内置了快速体二极管，能够有效应对反向电流需求，在硬开关和软开关拓扑结构中均表现出色。得益于英飞凌在功率半导体领域的深厚积累，K3555在可靠性、耐用性和长期稳定性方面表现优异，适用于严苛的工作环境。

参数

型号：K3555
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大连续漏极电流（ID）：35 A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：140 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：75 mΩ（@ VGS = 10 V, ID = 18 A）
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：4300 pF（@ VDS = 50 V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（@ VDS = 50 V）
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.6 V（@ IS = 35 A）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247

特性

K3555采用英飞凌专有的TrenchStop? 5技术，这项技术通过优化的沟道设计和电场分布，显著降低了导通损耗和开关损耗之间的权衡，从而实现了更高的系统效率。其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)），仅为75毫欧，在同类650V器件中处于领先水平，这直接减少了传导过程中的I2R损耗，尤其在大电流应用中效果明显。同时，该器件具有出色的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其非常适合高频操作，如在LLC谐振转换器或有源钳位反激式拓扑中使用。K3555的体二极管经过特殊优化，具备快速反向恢复特性（trr ≈ 45ns），可有效降低反向恢复引起的电磁干扰（EMI）和额外功耗，避免因二极管拖尾电流导致的交叉导通问题。
　　另一个关键特性是其优异的热性能和可靠性。TO-247封装提供了良好的散热路径，结合内部芯片的均匀电流分布设计，使得器件在持续高负载下仍能保持稳定运行。该MOSFET支持高达150°C的最大结温，确保在高温环境下依然具备足够的安全裕度。此外，K3555具备较强的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下保护自身不被击穿，提升了系统的鲁棒性。其栅极氧化层经过严格工艺控制，能够承受±20V的栅源电压，增强了对驱动电路异常的容忍度。综合来看，K3555在效率、可靠性和热管理方面的平衡，使其成为中高端功率转换应用的理想选择。

应用

K3555广泛应用于多种高效率电力电子系统中，尤其是在需要高电压、大电流和高频开关能力的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS），特别是用于服务器电源、通信电源模块等对能效要求较高的设备中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整机效率并满足能源之星或80 PLUS认证标准。在光伏（PV）逆变器中，K3555可用于DC-AC转换阶段的主开关元件，其高耐压能力和良好的动态性能确保了能量转换的高效与稳定。此外，在不间断电源（UPS）系统中，无论是在线式还是后备式架构，K3555都能胜任逆变器和整流器部分的功率切换任务。
　　该器件也常见于电机驱动领域，例如变频空调、工业电机控制器和电动工具驱动电路，其中它作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，实现精确的PWM控制。在焊接设备如逆变焊机中，K3555用于高频斩波电路，帮助实现紧凑化设计和高效能量传输。另外，在电动汽车充电站的辅助电源、LED路灯驱动电源以及高功率DC-DC变换器中，K3555同样展现出良好的适应性。由于其具备较强的抗冲击能力和温度稳定性，即使在电网波动或环境温度变化较大的情况下，也能维持可靠运行。总之，凡是涉及650V级别功率开关且追求高效率、小体积和长寿命的应用，K3555都是一个极具竞争力的解决方案。