时间：2025/8/14 19:20:42
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BAV19W T/R 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的双通道N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效、低电压控制的电子电路中。该器件采用TSSOP（薄型小尺寸封装），适用于便携式设备、电源管理和信号切换等应用。
类型：N沟道MOSFET
封装类型：TSSOP
最大漏极电流（ID）：100mA（连续）
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大）
工作温度范围：-40°C至+150°C
功率耗散：200mW
安装类型：表面贴装
引脚数：6
BAV19W T/R 是一款高集成度的双MOSFET器件，内部包含两个独立的N沟道MOSFET，每个通道都可以独立控制。该器件的低导通电阻确保了在负载电流下具有较低的压降，从而提高了整体效率。由于其低功耗特性，BAV19W T/R 非常适合用于电池供电设备中的负载开关或信号路由。其工作电压范围较宽，支持2.5V至10V的栅极驱动电压，使其兼容多种逻辑电平控制电路，如微控制器、FPGA和DSP等。
此外，BAV19W T/R 采用了小型TSSOP封装，节省了PCB空间，并提高了系统的集成度。其静电放电（ESD）保护性能优异，确保在复杂环境中工作的稳定性。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高环境温度下保持稳定运行，适用于工业级温度范围要求的应用场景。
BAV19W T/R 常用于便携式电子产品、电源管理模块、信号切换电路、逻辑电平转换器、电池供电设备、嵌入式控制系统以及工业自动化设备等。由于其双通道结构和低功耗特性，该器件也适用于多路控制电路中的开关应用。
BAV20W T/R, BSS138
