K3496 时间：2025/8/9 12:15:39 阅读：37

K3496是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等领域。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（在TC=25℃）
　　功耗(Pd)：40W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

K3496具备低导通电阻（Rds(on)）特性，通常在45mΩ以下，这使得在导通状态下功率损耗较低，提高了系统效率。
　　该器件采用了先进的平面技术制造，具备优异的热稳定性和可靠性，适合长时间高负荷工作。
　　K3496的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可正常工作，便于与不同类型的驱动电路兼容。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够支持高频操作，适用于开关电源、同步整流等对开关速度要求较高的场合。
　　由于其TO-220封装结构，K3496具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高散热效率。

应用

K3496常用于各种电源管理电路中，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。
　　它也广泛应用于电机驱动、LED照明驱动、工业自动化控制系统等对功率开关性能有较高要求的场合。
　　在电动车、储能系统和光伏逆变器等新能源领域中，K3496可用于功率调节和能量转换控制。
　　此外，该器件也可用于音频功率放大器中的电源开关和保护电路。