您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFR80N50P

IXFR80N50P 发布时间 时间:2023/3/6 14:16:49 查看 阅读:297

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:PolarHV?

  

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:PolarHV?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:72 毫欧 @ 40A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):500V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:45A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:197nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :12700pF @ 25V

    功率 - 最大:360W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:ISOPLUS247?

    包装:管件

    供应商设备封装:*



资料

厂商
IXYS

IXFR80N50P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFR80N50P资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXFR80N50P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C72 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs197nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12700pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件