时间：2025/8/9 10:01:21
阅读：14
K3469-01MR是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高速开关性能，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、马达控制和各种电源应用。K3469-01MR采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和集成在PCB上。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.035Ω（最大）
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252（DPAK）
K3469-01MR具备多项优良特性，适用于多种功率电子应用。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为0.035Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于需要高效能的电源系统，如DC-DC转换器和电池管理系统。
其次，该器件的漏极电流最大可达12A，漏源极电压为60V，这使得它能够胜任中高功率的应用场景。此外，栅源极电压范围为±20V，支持更宽的驱动电压范围，提高了设计的灵活性。
再次，K3469-01MR采用了TO-252（DPAK）封装形式，这种封装具有良好的热性能和机械稳定性，适合在需要良好散热性能的应用中使用，同时也有利于SMT（表面贴装技术）生产流程，提高生产效率。
最后，该MOSFET具备高速开关特性，适用于高频开关电源设计，能够有效减少开关损耗并提高系统响应速度，这在开关电源、LED驱动器和马达控制等领域尤为重要。
K3469-01MR广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
首先，它常用于DC-DC转换器中作为主开关元件，因其低导通电阻和高速开关特性，能够显著提高转换效率，适用于便携式设备电源管理、车载电源系统和工业电源模块。
其次，该MOSFET适用于AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、马达驱动器等应用场景。在马达控制电路中，它可以实现快速的电流切换，提高控制精度和响应速度。
此外，K3469-01MR也适用于电池管理系统（BMS），如锂离子电池充放电控制电路，能够在高电流条件下保持稳定工作，并提供良好的过载和短路保护性能。
由于其优良的热性能和封装设计，该器件也适用于表面贴装（SMT）生产线，有利于自动化制造和提高产品一致性。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDS6680, AO4406
