K3272-01S 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率控制领域。这款MOSFET专为高效能、低损耗设计而优化,适用于各种需要高可靠性和高性能的电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:30A
最大漏源电压:60V
导通电阻:5.5mΩ(最大)
栅极电压范围:-20V至+20V
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-220
K3272-01S 具有极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其高耐压能力使其适用于各种高压应用环境。该器件采用先进的平面工艺技术制造,确保了良好的热稳定性和长期可靠性。此外,K3272-01S 的封装设计提供了良好的散热性能,适合高功率密度设计。该MOSFET还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。
在热性能方面,K3272-01S 设计有较大的散热片区域,有助于在高电流条件下维持较低的工作温度,从而延长器件的使用寿命。其栅极驱动特性也经过优化,能够在较低的栅极驱动电压下实现快速开关,减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。此外,该器件具有较强的短路耐受能力,在异常工作条件下仍能保持稳定运行,提高了系统的整体可靠性。
K3272-01S 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备以及汽车电子系统等高功率应用场景。由于其优异的导通特性和高可靠性,该MOSFET在电源管理和功率控制领域得到了广泛认可和应用。
TK3272-01S