K3147 时间：2025/9/7 16:52:15 阅读：16

K3147 是一款常用的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理、开关电源、电机驱动和负载开关等应用中。这款MOSFET具有较低的导通电阻，能够承受较高的漏源电压和较大的连续漏极电流，适用于中高功率的电子系统设计。K3147 通常采用TO-220或TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并提高稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：12A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）

特性

K3147 是一款性能优异的功率MOSFET，其主要优势之一是具备较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件支持高达60V的漏源电压，适用于多种中压电源转换应用。同时，K3147 的最大连续漏极电流可达12A，适合用于中高功率负载的控制。该MOSFET的栅极阈值电压较低，通常在1V至2.5V之间，使其能够与常见的逻辑电平驱动器兼容，简化了控制电路设计。此外，K3147 具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，确保在高负载条件下仍能稳定工作。由于其TO-220或TO-252封装设计，K3147 在PCB布局中易于安装并具有良好的散热性能。

应用

K3147 常用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器以及负载开关控制。在电机控制应用中，K3147 可用于H桥电路中作为高边或低边开关，实现对电机方向和速度的精确控制。此外，该MOSFET也广泛应用于开关电源（SMPS）中，用于高效地转换和调节电压。在工业自动化和嵌入式系统中，K3147 可用于控制继电器、电磁阀、LED照明以及其他大功率负载。其高可靠性和良好的热性能使其在汽车电子、消费电子和工业设备中都得到了广泛应用。