时间：2025/10/29 15:20:24
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MD27C128-25/B是一款由Microchip Technology公司生产的高性能、低功耗的CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM），容量为128K位，组织形式为16K x 8位。该器件广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及老旧计算机系统中。MD27C128-25/B采用标准的JEDEC封装格式，兼容传统的27C128系列EPROM，能够在恶劣的工业环境条件下稳定运行。其主要特点包括高可靠性、长期数据保持能力（通常可达10年以上）、抗辐射设计以及支持多次编程和擦除操作（通过紫外线照射擦除）。该芯片在编程时需要较高的编程电压（Vpp，通常为+12.5V或+21V），而在正常读取模式下则使用标准的+5V电源供电，符合TTL电平接口标准，便于与多种微控制器和微处理器直接连接。
该型号中的‘-25’表示其最大访问时间不超过250纳秒，适用于中等速度要求的应用场景。后缀‘/B’通常表示该器件采用DIP（双列直插式）封装，并带有窗口，允许用户通过紫外线照射对芯片内容进行擦除，从而实现重复编程。MD27C128-25/B在出厂时处于全擦除状态（即所有位为1），用户可通过专用编程器将程序代码写入其中。由于其非易失性和可重复擦写特性，在没有现代闪存技术普及的时代曾是固件存储的主要选择之一。尽管目前已被更先进的EEPROM和Flash存储器逐步取代，但在维护旧设备、教育实验或特定工业应用中仍具有一定的使用价值。
制造商：Microchip Technology
产品系列：27C128
存储容量：128 Kbit
存储结构：16K x 8
电源电压（Vcc）：4.5V ~ 5.5V
编程电压（Vpp）：12.5V 或 21V（依编程模式而定）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：28引脚 DIP（带窗口）
最大存取时间：250 ns
读取模式电流：典型值 40 mA
待机电流：典型值 100 μA
接口类型：并行
数据保持时间：≥10年（在额定工作条件下）
擦除方式：紫外线擦除（约15~20分钟，波长253.7nm）
编程脉冲宽度：典型值 100 μs
MD27C128-25/B具备出色的电气和物理稳定性，能够在宽温范围内可靠工作，适用于工业级应用场景。其CMOS制造工艺显著降低了功耗，尤其是在待机模式下，电流消耗极低，有助于延长系统电池寿命或减少散热需求。该芯片支持标准的并行地址/数据总线接口，具备13位地址线（A0-A12）和8位数据线（O0-O7），能够直接与8位微处理器如8051、Z80、68HC11等无缝对接，简化系统设计。在读取操作中，仅需提供逻辑电平控制信号（如片选CE、输出使能OE）即可完成数据输出，响应速度快，最大访问时间为250ns，满足多数中速控制系统的需求。
该器件的一大优势是其可重复编程能力。通过将芯片暴露于高强度紫外线光源下（波长约为253.7nm），可将存储单元内的电荷释放，实现整体内容擦除。此过程通常需要15至20分钟，之后芯片恢复到全‘1’状态，可供再次编程。这种紫外线擦除机制虽然不如现代电擦除器件便捷，但具有极高的数据安全性，不易受到电磁干扰或意外写入的影响。此外，MD27C128-25/B内置噪声抑制电路和输入滤波器，增强了抗干扰能力，防止因信号抖动导致误操作。芯片还具备良好的耐压能力和ESD保护，提升了在复杂工业环境中的可靠性。其DIP封装设计便于手工焊接、更换和调试，特别适合研发阶段或小批量生产使用。尽管不具备页写入或字节写入功能，且编程需依赖外部编程器，但其结构简单、成本低廉、兼容性强，使其在特定领域仍具实用价值。
MD27C128-25/B主要用于需要长期保存程序代码且不频繁更新的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制器中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和继电器控制模块。在通信设备中，它可用于存储启动代码、协议栈或配置参数，如调制解调器、串行通信卡和远程终端单元（RTU）。此外，该芯片也常见于老旧计算机系统、POS终端、测试仪器和医疗设备中，作为BIOS或引导程序的存储介质。由于其紫外线可擦除特性，该器件非常适合教学和实验用途，学生和工程师可在实验室环境中反复擦除和编程，学习EPROM工作原理和存储器接口设计。在维修和替换老旧设备时，MD27C128-25/B常被用作原厂EPROM的直接替代品，尤其在无法获取原始型号的情况下。其稳定的性能和广泛的兼容性也使其适用于航空航天、军事电子等对元器件生命周期和可靠性要求较高的领域。尽管当前主流设计已转向串行Flash或SPI NOR Flash，但在一些不支持现代存储接口的老式主板或专用控制板上，MD27C128-25/B仍是不可或缺的组件。
27C128
27C128A
AT27C128
HM628128
