K29451VB200 时间：2025/7/22 12:41:59 阅读：9

K29451VB200 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电流、高电压的应用场合，如电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于工业自动化、消费类电子和汽车电子等领域的高性能要求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏-源电压（VDS）：200V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.018Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

K29451VB200 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这大大降低了导通损耗，提高了系统的能效。此外，该器件具有高达200V的漏-源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率应用。器件的栅极驱动电压范围宽广，支持从+10V到+20V的驱动电压，有助于实现快速开关和更低的导通电阻。
　　在热性能方面，K29451VB200 采用TO-247封装形式，具有良好的散热能力，确保在高功率工作条件下的稳定性与可靠性。其最大功率耗散为300W，能够在高温环境下稳定运行。器件的开关速度较快，具备较低的开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器的设计。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，在异常工作条件下可提供更高的安全性。其工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间正常运行，适应各种严苛的工业和汽车应用环境。

应用

K29451VB200 主要用于需要高效率、高耐压和大电流能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机控制电路、逆变器、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。由于其优异的导热性能和电气特性，该器件也广泛应用于新能源汽车、充电桩、太阳能逆变器等高功率密度场合。
　　此外，K29451VB200 还可用于负载开关、热插拔电源控制、电源分配系统等场景，提供稳定可靠的功率控制解决方案。在音频功放、高频感应加热等对开关性能要求较高的应用中，该MOSFET同样表现出色。