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K29451VB200 发布时间 时间:2025/7/22 12:41:59 查看 阅读:9

K29451VB200 是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电流、高电压的应用场合,如电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适用于工业自动化、消费类电子和汽车电子等领域的高性能要求。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A
  最大漏-源电压(VDS):200V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值0.018Ω(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):300W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

K29451VB200 的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这大大降低了导通损耗,提高了系统的能效。此外,该器件具有高达200V的漏-源击穿电压,能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率应用。器件的栅极驱动电压范围宽广,支持从+10V到+20V的驱动电压,有助于实现快速开关和更低的导通电阻。
  在热性能方面,K29451VB200 采用TO-247封装形式,具有良好的散热能力,确保在高功率工作条件下的稳定性与可靠性。其最大功率耗散为300W,能够在高温环境下稳定运行。器件的开关速度较快,具备较低的开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器的设计。
  该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,在异常工作条件下可提供更高的安全性。其工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C之间正常运行,适应各种严苛的工业和汽车应用环境。

应用

K29451VB200 主要用于需要高效率、高耐压和大电流能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机控制电路、逆变器、电池管理系统(BMS)以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。由于其优异的导热性能和电气特性,该器件也广泛应用于新能源汽车、充电桩、太阳能逆变器等高功率密度场合。
  此外,K29451VB200 还可用于负载开关、热插拔电源控制、电源分配系统等场景,提供稳定可靠的功率控制解决方案。在音频功放、高频感应加热等对开关性能要求较高的应用中,该MOSFET同样表现出色。

替代型号

TK2945K10,Z,TMOSFET-200V-100A-N,TOSHIBA-K2945KVB200

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