时间：2025/9/7 15:56:11
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K2925 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率放大器等领域。该器件设计用于高效能和高可靠性，适用于多种电子设备。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：250V
漏极电流（Id）：17A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
功率耗散（Ptot）：150W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 150°C
K2925 具有低导通电阻的特点，能够在高电流条件下提供较低的功耗，从而提高整体效率。此外，该器件具有较高的耐用性和热稳定性，适用于各种高要求的工业应用。
其封装形式为 TO-220，便于安装和散热，适合用于开关电源、电机驱动和功率放大器等应用。K2925 还具有较高的耐压能力，能够在复杂的工作环境中保持稳定性能。
K2925 常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、功率放大器以及工业自动化设备中的功率开关。其高可靠性和优异的电气性能使其成为多种高功率应用的理想选择。
IRFZ44N, FDPF17N25, STP17N25
