K2925 是一款由东芝(Toshiba)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率放大器等领域。该器件设计用于高效能和高可靠性,适用于多种电子设备。
类型:N 沟道
漏源电压(Vds):250V
漏极电流(Id):17A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
功率耗散(Ptot):150W
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C 至 150°C
K2925 具有低导通电阻的特点,能够在高电流条件下提供较低的功耗,从而提高整体效率。此外,该器件具有较高的耐用性和热稳定性,适用于各种高要求的工业应用。
其封装形式为 TO-220,便于安装和散热,适合用于开关电源、电机驱动和功率放大器等应用。K2925 还具有较高的耐压能力,能够在复杂的工作环境中保持稳定性能。
K2925 常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、功率放大器以及工业自动化设备中的功率开关。其高可靠性和优异的电气性能使其成为多种高功率应用的理想选择。
IRFZ44N, FDPF17N25, STP17N25