类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：500mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

K2896-01S 功率 MOSFET 具备多项优异特性，适用于多种低功率应用场合。首先，其 20V 的漏源电压额定值使其能够适用于多种低压电源系统，例如 12V 和 5V 电源轨的控制。其次，该器件的连续漏极电流额定值为 500mA，足以满足小型负载开关和 LED 驱动等应用的需求。K2896-01S 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 2.5V 至 10V 之间工作，使其兼容多种逻辑电平控制器，如微控制器和电源管理 IC。此外，SOT-23 封装不仅提供了良好的散热性能，还节省了 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），在 4.5V 栅极驱动下通常小于 3Ω，从而减少了导通损耗并提高了能效。K2896-01S 还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，适用于工业和消费类电子产品。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其在极端环境条件下仍能稳定运行。

K2896-01S 主要应用于低压电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、LED 驱动电路、电池充电电路以及便携式电子设备中的开关控制。它也可用于逻辑电平驱动的低边开关，如微控制器 I/O 引脚控制的外围设备电源管理。由于其封装小巧、性能稳定，该器件在智能家居设备、穿戴式电子产品、工业传感器和低功耗物联网设备中均有广泛应用。

2N7002, BSS138, FDN337N, 2N3904