K2879 时间：2025/8/8 22:27:17 阅读：28

K2879 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、功率放大和开关电路中。该器件以其高耐压、低导通电阻和高可靠性而受到青睐。K2879 通常采用TO-220或TO-262封装，适用于各种工业控制、电源转换器、电机驱动和开关电源应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.5Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-262

特性

K2879 MOSFET具有多项优良的电气特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其漏源电压高达900V，使其适用于高电压工作环境，如开关电源和工业控制设备。其次，K2879 的导通电阻较低（最大1.5Ω），这有助于减少导通损耗，提高系统效率并降低发热。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55℃至+150℃）。栅源电压为±30V，提供较大的驱动灵活性，同时具备较高的抗静电能力，增强了器件的可靠性。
　　K2879 还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于提高电源转换效率。其TO-220和TO-262封装形式便于散热，适用于各种标准PCB布局和散热设计，便于在工业、消费电子和自动化设备中广泛应用。