时间：2025/12/28 9:58:02
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K2776是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率功率转换场合。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具有较低的导通电阻和优异的开关特性，能够在较高的频率下工作，从而提高系统的整体效率。K2776特别适用于需要紧凑设计和高效能表现的应用场景，例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源、消费类电子产品中的电源管理模块等。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的热传导性能，能够有效将工作过程中产生的热量传递至散热片，保证器件在长时间运行下的稳定性与可靠性。此外，K2776还具备较强的抗雪崩能力和过压保护能力，提升了系统在异常工况下的安全裕度。由于其出色的电气性能和稳定的制造工艺，K2776成为许多工业级和消费级电源设计工程师的首选之一。
型号：K2776
类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：500 V
连续漏极电流ID：8 A（@TC = 25°C）
脉冲漏极电流IDM：32 A
栅源电压VGS：±30 V
导通电阻RDS(on)：0.45 Ω（max @ VGS = 10 V）
阈值电压Vth：4 V ~ 6 V
输入电容Ciss：1200 pF（@ VDS = 25 V）
输出电容Coss：470 pF（@ VDS = 25 V）
反向恢复时间trr：典型值约45 ns
功耗PD：50 W（最大值）
工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220 / TO-220F
K2776具备多项优异的电气与热力学特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压（BVDSS）使其适用于通用开关电源（SMPS）和AC-DC转换器中，尤其是在离线式反激拓扑结构中，可以承受来自变压器初级侧的高压尖峰。其次，该器件的最大连续漏极电流可达8A，在良好散热条件下可维持稳定输出，满足多数中小功率电源的需求。其导通电阻RDS(on)典型值为0.45Ω，这一数值在同类500V N沟道MOSFET中处于较为领先水平，有助于降低导通损耗，提升能效，并减少发热。
K2776采用了优化的硅晶圆制造工艺，实现了较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），从而显著改善了开关速度并减少了开关过程中的能量损耗。这对于高频工作的电源系统尤为重要，因为高频操作虽然有利于减小磁性元件体积，但会加剧开关损耗。该器件的输入电容约为1200pF，输出电容约为470pF，这些参数经过精心平衡，既保证了足够的驱动兼容性，又避免了因寄生电容过大而导致的振荡风险。
在可靠性方面，K2776具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定的非重复性过压冲击，增强了系统在异常情况下的鲁棒性。同时，其最高工作结温可达+150°C，支持在高温环境下长期运行，适合工业级应用需求。器件的封装采用标准TO-220形式，便于安装散热片，有效提升热管理效率。此外，该MOSFET符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。综合来看，K2776是一款性能均衡、可靠性高、适用范围广的功率MOSFET器件。
K2776主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，如适配器、充电器、LED驱动电源和小型逆变器等。它常见于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）拓扑结构的初级侧开关元件，负责将输入的高压直流电周期性地切换以实现能量传输。在这些应用中，K2776凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关响应能力，能够有效提升转换效率并降低温升。此外，该器件也用于直流电机控制电路中，作为H桥或单边驱动的主开关管，实现对电机启停和调速的精确控制。在自动化设备、家用电器和办公设备的电源模块中，K2776因其成熟的技术和稳定的供货渠道而被广泛采用。另外，在不间断电源（UPS）、光伏微逆变器和电池管理系统（BMS）等新能源相关领域，该MOSFET也可作为辅助电源或隔离驱动部分的关键组件使用。由于其封装易于手工焊接和自动化贴装，因此不仅适用于大批量生产，也能满足原型开发阶段的需求。总体而言，K2776是一款通用性强、适应面广的功率开关器件，适合多种需要高效、可靠功率控制的电子系统。
2SK2776, 2SK2776-Y, K2777, 2SK2777
