PM-6638 时间：2025/8/12 20:47:50 阅读：22

PM-6638是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关、电源管理、DC-DC转换器和电机控制等应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电压范围：-20V至+20V
　　功率耗散：300W（最大）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）或TO-220（通孔）

特性

PM-6638具有多项优异的电气和热性能特点，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，尤其在高电流工作条件下表现显著。其次，该器件的高电流承载能力（120A）使其适用于大功率负载控制，例如电机驱动和电源转换系统。
　　在热管理方面，PM-6638采用了高效的封装设计，如TO-263和TO-220，能够有效散热，提升器件在高功率环境下的稳定性与可靠性。其最大功率耗散为300W，可在较高温度环境下稳定运行。
　　此外，PM-6638具备较高的栅极电压容限（±20V），增强了在复杂控制电路中的适用性，减少了栅极驱动电路设计的复杂性。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）也确保了在极端环境下的稳定性能，适用于工业、汽车和消费电子等多个领域。
　　综合来看，PM-6638凭借其低Rds(on)、高电流能力、良好的热性能和广泛的适用性，成为一款高性能的功率MOSFET解决方案。