K2767 时间：2025/8/8 23:01:56 阅读：34

K2767是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。它具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点，适用于需要高效能功率转换的场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：30A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：约50mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：150W
　　封装形式：TO-220、TO-263（表面贴装）等

特性

K2767的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。它能够承受较高的漏源电压（高达100V），适合用于中高功率应用。此外，K2767具有较高的电流承载能力，能够在连续工作条件下支持高达30A的漏极电流，这使其在开关电源、DC-DC转换器和电机驱动应用中表现优异。
　　K2767采用TO-220或TO-263等标准封装形式，便于散热设计和安装。其栅极驱动特性相对简单，能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作，通常在4.5V至20V之间即可实现充分导通。这种灵活性使得K2767能够兼容多种驱动电路设计。
　　该器件还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下保持可靠的工作性能。由于其快速开关特性和低门极电荷，K2767在高频开关应用中也能表现出色，有助于减小电源系统的体积并提升转换效率。

应用

K2767广泛应用于各种电源管理系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关。它在电机控制和驱动电路中也经常被使用，特别是在需要高效率和高电流能力的场合。此外，K2767还适用于LED照明驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统中的功率开关部分。由于其良好的热稳定性和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统和电源管理模块。