K2639 时间：2025/8/8 22:04:14 阅读：30

K2639是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及各种功率控制应用。该晶体管采用TO-220封装，具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于中高功率电子设备。K2639的主要优势在于其高效的导通性能和良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.45Ω
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K2639作为一款N沟道MOSFET，具备优异的导通特性和快速开关响应能力。其低导通电阻确保在高电流工作状态下功耗较小，提高系统效率。此外，K2639具备良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，适用于多种工业和消费类电子设备。
　　K2639的另一个显著特点是其高栅极绝缘能力，栅-源电压最大可承受±20V，使其在各种驱动电路中具备良好的兼容性。同时，其TO-220封装便于安装和散热，适用于需要高可靠性的应用场景。
　　在动态性能方面，K2639具备较快的开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于降低开关损耗，提高整体能效。
　　此外，K2639具备较强的抗过载能力，在短时过载情况下仍能保持稳定运行。这使得该器件在电机驱动、电源管理以及负载开关等应用中表现出色。