TPH1R204PB,L1Q(M) 是一款 N 沣道晶体管 (N-MOSFET),属于功率 MOSFET 类型,主要应用于高效能开关电路和功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。其封装形式为 SOT-223,适合表面贴装应用,能够满足紧凑型设计的需求。
这款器件通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理等应用中,能够在高频条件下保持较低的功率损耗。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:7nC
总电容:150pF
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-223
TPH1R204PB,L1Q(M) 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(1.2mΩ),可显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,得益于较小的栅极电荷(7nC),非常适合高频应用。
3. 高电流处理能力(连续漏极电流达 4.8A),适用于多种功率级需求。
4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),确保在极端环境下的可靠运行。
5. 小巧的 SOT-223 封装,便于实现紧凑型设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
TPH1R204PB,L1Q(M) 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统中的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业自动化设备中的电源管理和控制电路。
5. 通信设备中的高效功率转换模块。
6. 消费类电子产品的适配器和充电器。
TPH1R006PBF, TPH1R204PL, FDMT6690