K2558 时间：2025/9/7 12:04:35 阅读：23

K2558是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等高电流和高效率要求的场合。该器件采用TO-220或类似的大功率封装，具备良好的热性能和高电流承载能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续10A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.3Ω（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K2558是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效率和低导通损耗的电源和功率控制应用。该器件具备较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时可达到约0.3Ω，从而减少了在高电流工作状态下的功率损耗。漏源电压为60V，漏极电流可达10A，适用于中等功率的开关应用。K2558的栅极驱动电压范围较宽，一般在10V至20V之间，能够确保MOSFET在高负载条件下稳定导通。此外，该器件具备良好的热稳定性，采用TO-220封装，能够有效散热，适合在高电流和高功率环境下使用。K2558的开关速度较快，使其适用于PWM（脉宽调制）控制等高频应用，如电机驱动、LED驱动、DC-DC转换器和电源管理系统。其高可靠性和耐用性也使其在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。