型号：K2215
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：7A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（在Vgs=10V时）
　　阈值电压（Vth）：2.0V～4.0V
　　输入电容（Ciss）：约700pF（在Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约200pF
　　反向恢复时间（trr）：约25ns
　　最大功耗（Ptot）：125W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

K2215 N沟道MOSFET具备多项关键特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其500V的高漏源击穿电压使其适用于多种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式及半桥变换器，能够在输入电压波动较大的情况下保持稳定工作。其次，该器件具有较低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下典型值仅为0.65Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。对于电池供电或对能效要求较高的应用而言，这一点尤为重要。
　　该MOSFET采用了东芝优化的平面硅栅技术，不仅提升了器件的可靠性和一致性，还增强了高温环境下的稳定性。其最大结温可达150℃，并支持在高温环境下长期运行，配合适当的散热设计可有效延长使用寿命。此外，K2215具有较快的开关速度，得益于其较小的输入和输出电容（Ciss和Coss），使得在高频开关应用中能够减少开关损耗，从而提升电源转换效率。
　　在可靠性方面，K2215具备良好的抗雪崩能力，意味着在发生瞬态过压或感性负载突变时，器件能够承受一定程度的能量冲击而不损坏，提高了系统的鲁棒性。同时，其较高的栅源电压耐受能力（±30V）也为栅极驱动电路的设计提供了更大的安全裕量，防止因驱动信号异常导致的栅氧层击穿。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低驱动电路的功耗，尤其在高频PWM控制中效果明显。综合来看，K2215在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种工业与消费类电源产品的成熟MOSFET解决方案。

K2215广泛应用于各类中等功率的电力电子系统中。常见用途包括AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本电脑适配器和电视电源模块，在这些设备中作为主开关管实现高效的能量转换。此外，它也常用于DC-DC转换器，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激（Flyback）拓扑中担任功率开关角色，提供稳定的电压调节功能。
　　在工业控制领域，K2215可用于电机驱动电路，控制小型直流电机或步进电机的启停与转速，其快速开关能力和较高电流承载能力使其适合频繁启停的应用场景。同时，该器件也适用于LED照明驱动电源，尤其是大功率LED灯具中的恒流控制电路，保障光源的稳定发光并提高光效。
　　在家用电器中，如微波炉、洗衣机、空调等内部的电源管理单元或控制板上，K2215可用于继电器驱动、电磁阀控制或辅助电源供电。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，即使在复杂电磁环境或温度变化较大的条件下也能可靠运行。
　　此外，K2215还可用于逆变器、UPS不间断电源以及太阳能充电控制器等新能源相关设备中，作为核心开关元件参与能量转换过程。其成熟的工艺和广泛的市场应用验证了其在多领域中的适应性和稳定性，是工程师在进行中功率开关设计时的重要选择之一。

2SK2215,T2215,2SC5235,K2645