容量：16K x 8位（128Kb）
　　电源电压：5V
　　访问时间：55ns、70ns、100ns可选
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：2V至5.5V
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　功耗：典型电流约120mA

HMS87C1416BSKP是一款高性能SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间和低待机电流，适用于需要快速响应和低功耗运行的系统。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具备较高的抗干扰能力和稳定性。其TSOP封装设计使得芯片更适合高密度PCB布局，并具有良好的热性能和机械强度。
　　在功能方面，HMS87C1416BSKP支持异步操作，具有地址和数据总线独立控制的功能，能够与多种微处理器和控制器兼容。芯片内部集成了地址缓冲器和数据缓冲/驱动电路，简化了外部电路设计。此外，它还具备数据保持功能，在低电压条件下仍能保持数据完整性，适用于电池供电或备用电源系统。
　　该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定工作，适合工业自动化、通信设备、测试仪器等应用。

HMS87C1416BSKP适用于需要高速数据存储和可靠性的多种应用场景。例如，在工业控制系统中，该芯片可以作为缓存或临时存储单元，用于提升数据处理速度。在通信设备中，它可用于存储协议数据和临时通信缓冲区。此外，该芯片还常用于测试和测量设备、医疗电子设备、智能卡读写器以及嵌入式控制系统等场景。

HMS87C1416BSKP的替代型号包括ISSI的IS61LV12816-10T和Cypress的CY62148EVLL。