K2209-01R 是一款由 KEC(东芝半导体子公司)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高电流、高效率的开关应用而设计,适用于各种电源管理和电机控制应用。K2209-01R 采用 TO-220 封装,具备良好的散热性能和可靠性,适合在中高功率环境下使用。其主要特点包括低导通电阻、高耐压和高电流能力,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
类型:N 沟道 MOSFET
漏极电流 (ID):9A
漏极-源极击穿电压 (BVDSS):60V
导通电阻 (RDS(on)):0.35Ω @ VGS = 10V
栅极电荷 (Qg):14nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220
K2209-01R 的主要特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得该器件在高电流工作时能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,其最大漏极电流可达 9A,能够在高负载条件下稳定工作。
该器件的 BVDSS 为 60V,适用于多种中低压功率转换应用,如 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动电路。TO-220 封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,增强热管理能力。
K2209-01R 具有快速开关特性,适合用于高频开关电源和 PWM 控制应用。其较低的栅极电荷(Qg)有助于减少开关损耗,提高响应速度,从而提升系统的动态性能。
在安全性和可靠性方面,K2209-01R 具备良好的热稳定性和过载保护能力,能够在严苛环境下长时间稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适应广泛的工作环境条件。
K2209-01R 主要应用于电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关和电池充电器。由于其高电流能力和低导通电阻,它也适用于电机驱动和继电器驱动电路。
在工业控制领域,K2209-01R 可用于 PLC 输出模块、工业自动化设备和智能家电中的功率控制部分。此外,在汽车电子系统中,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车灯控制模块中,该器件也能发挥良好的性能。
由于其 TO-220 封装易于安装和散热管理,K2209-01R 也被广泛用于实验开发和原型设计中,作为高性价比的功率开关元件。
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