类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：0.28Ω（最大值）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

K2052-R 作为一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具备多项关键特性。首先，其最大漏源电压为 200V，能够在高压环境下稳定工作，适用于工业电源和高电压控制电路。其次，该器件的导通电阻较低，最大值为 0.28Ω，这有助于减少导通损耗，提高电源效率，同时降低发热。此外，K2052-R 的最大连续漏极电流为 5A，能够支持较高功率的应用需求，如电机驱动、继电器控制和负载开关等。
　　该器件的栅源电压范围为 ±30V，具有较高的栅极电压耐受能力，能够在不同驱动条件下保持稳定运行。功率耗散为 50W，结合 TO-220 封装良好的散热性能，使得 K2052-R 能够在较恶劣的环境条件下可靠工作。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应广泛的工业和汽车应用需求。
　　K2052-R 的封装形式为 TO-220，这种封装不仅便于安装和散热，还具有较高的机械强度和耐久性。TO-220 封装也广泛用于功率器件中，因此在 PCB 设计和系统集成方面具有良好的兼容性。

K2052-R 广泛应用于多个领域，包括工业自动化控制、电源管理系统、电机驱动、负载开关以及汽车电子系统等。在工业控制中，K2052-R 可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载，其低导通电阻和高电压耐受能力确保了系统的高效和稳定运行。在电源管理应用中，该器件可用于 DC-DC 转换器、电池管理系统和电源分配单元，优化电能使用效率。
　　在汽车电子领域，K2052-R 适用于车身控制模块、电动窗控制、车灯驱动和车载充电系统等场景。其宽广的工作温度范围和高可靠性使其能够适应汽车运行环境中的温度变化和振动条件。此外，K2052-R 也可用于家电控制电路，如洗衣机、冰箱等设备的电机控制和电源管理，提高设备的能效和稳定性。
　　由于其 TO-220 封装的通用性，K2052-R 在原型设计和产品开发中也具有较高的灵活性，适合用于多种应用场景中的功率控制需求。

IRF9540N, FQP13N06L, K2051-R