时间：2025/9/13 21:47:02
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PESD2ETH-DF是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的以太网保护器件，专为千兆以太网接口设计的过压和静电放电（ESD）保护解决方案。该器件采用DFN（双扁平无引脚）封装，具有低电容、低钳位电压和快速响应时间等优点，适用于需要高速数据传输和高可靠性保护的以太网通信系统。PESD2ETH-DF的主要功能是防止因静电放电、电快速瞬变脉冲群（EFT）或雷击引起的过电压对以太网物理层（PHY）芯片造成损坏。
类型：ESD保护二极管阵列
封装：DFN10
通道数：2
工作电压：最大5V
反向击穿电压（VRWM）：5V
最大钳位电压（VC）：在IPP=1A时典型值为13V
响应时间：小于1ns
电容：每通道最大1.5pF（典型值1pF）
IEC 61000-4-2 ESD保护等级：接触放电±8kV，空气放电±15kV
IEC 61000-4-5浪涌保护等级：±24A（8/20μs）
PESD2ETH-DF是一款专为千兆以太网接口设计的高性能ESD保护器件。其核心特性之一是采用双向对称的二极管结构，可以为以太网差分信号线提供有效的双向保护，确保在遭受静电放电或浪涌电压时，设备能够快速响应并钳制电压至安全水平，防止损坏敏感的以太网PHY芯片。此外，该器件的低电容特性（每通道最大1.5pF）使其非常适合高速数据传输应用，能够最大程度地减少信号失真和插入损耗，保持千兆以太网的稳定性和传输速率。PESD2ETH-DF采用DFN10封装，体积小巧，便于在紧凑型PCB设计中布局，同时具备良好的散热性能和机械稳定性。其集成化的设计也简化了外围电路的需求，降低了设计复杂度并提高了整体系统的可靠性。PESD2ETH-DF符合RoHS和无卤素标准，适用于各种环保型电子产品设计。
PESD2ETH-DF广泛应用于各种以太网接口保护场合，特别是千兆以太网（1000BASE-T）接口的ESD和浪涌保护。典型应用包括工业以太网交换机、路由器、网络摄像头、IP电话、网络附加存储（NAS）设备、智能电表、楼宇自动化系统以及任何需要高速以太网连接并要求高可靠性的电子设备。由于其出色的信号完整性保持能力和快速响应特性，PESD2ETH-DF也非常适合用于汽车以太网通信系统和工业自动化控制网络。
PESD2ETH-DF没有直接的替代型号，但可选用TI的TPD2E001或STMicroelectronics的STM32100B-EVAL作为功能相近的解决方案。
